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Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic

Name: Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120HM16CT3AG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

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Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

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Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

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Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic

Ampliación de imagen : Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSCSM120HM16CT3AG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic

Descripción

Número de parte:	MSCSM120HM16CT3AG	Carga total de la puerta:	1602nC
Configuración:	Canal N 4	Carga de la puerta:	464nC
Poder - máximo:	745W	RGON:	3,2 Ω

Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic

Descripción de producto de MSCSM120HM16CT3AG

Oferta de MSCSM120HM16CT3AG un perfil bajo, un montaje directo al disipador de calor, un termistor interno para el control de la temperatura, y una gama de temperaturas extendida.

Especificación de MSCSM120HM16CT3AG

Número de parte:	MSCSM120HM16CT3AG	Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:	19800pF @ 1000V
Tecnología:	Sic	Dren-fuente en resistencia:	3.9mΩ
Voltaje del umbral de la puerta:	3.3V	Corriente de la salida de la Puerta-fuente:	900nA

Características de MSCSM120HM16CT3AG

Termistor interno para el control de la temperatura
Gama de temperaturas extendida
Convertidor de gran eficacia
Funcionamiento excepcional en la operación de alta frecuencia

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte	Paquete
IRFR430ATRPBF	TO-252
MSP430F2274IRHAR	QFN40
MK60DN256VLQ10	QFP144
THS7327PHPR	HTQFP-48
PCM5100APWR	TSSOP20
IRF8302MTRPBF	SMD

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic

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