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módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Name: módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM70DUM07T3AG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Ampliación de imagen : módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSCSM70DUM07T3AG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Descripción

Número de parte:	MSCSM70DUM07T3AG	Poder - máximo:	988W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaje del tipo:	Montaje en chasis
Paquete/caso:	Módulo	Paquete del dispositivo del proveedor:	SP3F

módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Descripción de producto de MSCSM70DUM07T3AG

MSCSM70DUM07T3AG es módulo de poder dual del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 700V/353A (sic).

Especificación de MSCSM70DUM07T3AG

Número de parte	MSCSM70DUM07T3AG
Tecnología	Carburo de silicio (sic)
Configuración	Fuente común (dual) de 2 canales N
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	700V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	353A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	6.4mOhm @ 120A, 20V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.4V @ 12mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	645nC @ 20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	13500pF @ 700V

Esquema eléctrica de MSCSM70DUM07T3AG

módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W 0

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte	Paquete
AXA463061P	SMD
ZXGD3105N8TC	SOP-8
FMS6502MTC24X	TSSOP24
LTC3547BEDDB	DFN-8
IW1788-46	SOP8
ACPL-M61T	SOP5

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

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