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Arsenal automotriz del Mosfet de los módulos 1700V 4N-Channel de los módulos MSCSM170HM087CAG IGBT

Name: Arsenal automotriz del Mosfet de los módulos 1700V 4N-Channel de los módulos MSCSM170HM087CAG IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM170HM087CAG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

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Arsenal automotriz del Mosfet de los módulos 1700V 4N-Channel de los módulos MSCSM170HM087CAG IGBT

Ampliación de imagen : Arsenal automotriz del Mosfet de los módulos 1700V 4N-Channel de los módulos MSCSM170HM087CAG IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSCSM170HM087CAG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Arsenal automotriz del Mosfet de los módulos 1700V 4N-Channel de los módulos MSCSM170HM087CAG IGBT

Descripción

Número de parte:	MSCSM170HM087CAG	Tecnología:	Carburo de silicio (sic)
Configuración:	Canal N 4 (puente lleno)	Poder - máximo:	1.114kW (Tc)
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:	3.2V @ 10mA	Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:	238A (Tc)

Módulos MSCSM170HM087CAG Módulos automotrices IGBT 1700V 4N-Channel Mosfet Array

Descripción del producto deMSCSM170HM087CAG

MSCSM170HM087CAG es Mosfet Array 1700V (1.7kV) 238A (Tc) 1.114kW (Tc) Montaje en chasis, módulo de alimentación MOSFET de carburo de silicio (SiC) de fuente común doble.

Especificación deMSCSM170HM087CAG

Número de pieza:	MSCSM170HM087CAG	Paquete / Caja:	Módulo
Voltaje de fuente de drenaje (máx.):	1700V	Drenaje-Fuente ON Resistencia (Máx.):	2,1 mΩ
Corriente de drenaje pulsada (máx.):	2000A	Disipación de potencia (TC = 25 °C) - Máx.:	2750W

Energía de conmutación VS.Actual (MSCSM170HM087CAG)

Otros tipos de productos de suministro

Número de parte	Paquete
LM22676MRE-ADJ	SOP8
PFE1000F-48	Módulo
SUCS62412C	CC-CC
PI3USB30532ZLEX	TQFN40
SCA103T-D05	SMD12
B50212EB1KMLG	QFN48

Preguntas más frecuentes

P: ¿sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?
R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en existencia dentro de los 5 días hábiles. Si no hay existencias, le confirmaremos el tiempo de entrega en función de la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Arsenal automotriz del Mosfet de los módulos 1700V 4N-Channel de los módulos MSCSM170HM087CAG IGBT

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