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De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic

Name: De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120HM083CAG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic

Ampliación de imagen : De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSCSM120HM083CAG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic

Descripción

Número de parte:	MSCSM120HM083CAG	VGS:	10V
Disipación de poder:	1042W	VDSS:	1200V
Crss:	1 megaciclo	VBus:	800 V

De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic

Descripción de producto de MSCSM120HM083CAG

MSCSM120HM083CAG es 1200 V, 251 un módulo de poder lleno del carburo de silicio del puente (sic). Los requisitos únicos se pueden cumplir con los módulos de poder específicos a la aplicación.

Especificación de MSCSM120HM083CAG

Número de parte:	MSCSM120HM083CAG	Corriente pulsada del dren:	900A
Carga de la Puerta-fuente:	232nC	Corriente de recuperación reversa:	76A
Capacitancia total:	864pF	Peso del paquete:	300g

Características de MSCSM120HM083CAG

UL obediente - sic módulos del MOSFET 1200V
Diseño robusto de la Alto-Ruido-inmunidad
Control de la temperatura aislado, PWM

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte	Paquete
SI1141-A10	QFN10
BCM43242KFFBG	BGA
AD2S1210WDSTZ	LQFP48
B50210EB1KMLG	QFN48
BCM56680B1KFSB	BGA
MT9V034C12STM	CLCC-48

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic

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