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Módulos automotrices de los módulos 158W IGBT del silicio del módulo de poder NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Name: Módulos automotrices de los módulos 158W IGBT del silicio del módulo de poder NXH80T120L2Q0S2G IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH80T120L2Q0S2G
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Módulos automotrices de los módulos 158W IGBT del silicio del módulo de poder NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Ampliación de imagen : Módulos automotrices de los módulos 158W IGBT del silicio del módulo de poder NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	NXH80T120L2Q0S2G

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulos automotrices de los módulos 158W IGBT del silicio del módulo de poder NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Descripción

Número de parte:	NXH80T120L2Q0S2G	Corriente de la salida del Puerta-emisor:	nA 300
Paladio - disipación de poder:	158 W	Categoría de producto:	Módulos de IGBT
Voltaje de Gate−Emitter:	±20V	Tamaño:	65,9 milímetros x X12 milímetro de 32,5 milímetros

Módulos automotrices de los módulos 158W IGBT del silicio del módulo de poder NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Descripción de producto de NXH80T120L2Q0S2G

NXH80T120L2Q0S2G el foso integrado IGBTs de la parada de campo y los diodos rápidos de la recuperación proporcionan pérdidas más bajas de la conducción y pérdidas que cambian, permitiendo a diseñadores alcanzar eficacia alta y confiabilidad superior.

Especificación de NXH80T120L2Q0S2G

Número de parte:	NXH80T120L2Q0S2G
Producto:	Módulos del silicio de IGBT
Configuración:	Medio puente
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	1,2 kilovoltios
Voltaje de saturación del Colector-emisor:	2,05 V
Corriente de colector continua en 25 C:	80 A

Diagrama esquemático de NXH80T120L2Q0S2G

Módulos automotrices de los módulos 158W IGBT del silicio del módulo de poder NXH80T120L2Q0S2G IGBT 0

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
XC7K325T-3FFG900E	BGA900
XC7K325T-2FFG676C	FBGA676
XC7K325T-1FFG676C	BGA676
XC7K325T-2FBG900I	BGA
XC7K325T-2FF900I	FBGA
XC7K325T-1FF676I	676-FCBGA

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

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Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

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