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el campo del foso 194W para el canal dual NXH300B100H4Q2F2PG de los módulos 3 de IGBT

Name: el campo del foso 194W para el canal dual NXH300B100H4Q2F2PG de los módulos 3 de IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH300B100H4Q2F2PG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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el campo del foso 194W para el canal dual NXH300B100H4Q2F2PG de los módulos 3 de IGBT

Ampliación de imagen : el campo del foso 194W para el canal dual NXH300B100H4Q2F2PG de los módulos 3 de IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	NXH300B100H4Q2F2PG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	módulo 27-PowerDIP
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

el campo del foso 194W para el canal dual NXH300B100H4Q2F2PG de los módulos 3 de IGBT

Descripción

Número de parte:	NXH300B100H4Q2F2PG	Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Termistor de SNTC bcategory:	Sí	Montaje del tipo:	Montaje en chasis
Paquete del dispositivo del proveedor:	27-PIM (71x37.4)	Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	1 kilovoltio
Resaltar:	módulos duales de 194W IGBT , 1118V IGBT dual , Parada de campo del foso de NXH300B100H4Q2F2PG

el campo del foso 194W para el canal dual NXH300B100H4Q2F2PG de los módulos 3 de IGBT

3 el campo del foso del canal NXH300B100H4Q2F2PG 194W para los módulos duales 1118V de IGBT

Descripción de producto de NXH300B100H4Q2F2PG

NXH300B100H4Q2F2PG este high−density, módulo de poder integrado combina el high−performance IGBTs con el diodo de 1200 V sic.

Especificación de NXH300B100H4Q2F2PG

Número de parte	NXH300B100H4Q2F2PG
Tipo de IGBT	Parada de campo del foso
Configuración	Fuente dual, común
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)	1118 V
Actual - colector (Ic) (máximo)	73 A
Poder - máximo	194 W
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic	2.25V @ 15V, 100A
Actual - atajo del colector (máximo)	µA 800
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce	6,323 N-F @ 20 V
Entrada	Estándar

Características de NXH300B100H4Q2F2PG

Disposición inductiva baja
3−channel en paquete de Q2BOOST
El diseño del módulo ofrece densidad de poder más elevado
Foso extremadamente eficiente con tecnología de la parada de campo
La pérdida que cambia baja reduce la disipación de poder del sistema
Éstos son dispositivos de Pb−Free

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
IMBG65R163M1HXTMA1	TO-263-7
IMBG65R083M1HXTMA1	TO-263-7
BSZ036NE2LSATMA1	TDSON-8
IPBE65R075CFD7AATMA1	TO-263-7
TXB0102YZPR	DSBGA-8
TLV707185DQNR	X2SON-4

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

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Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

el campo del foso 194W para el canal dual NXH300B100H4Q2F2PG de los módulos 3 de IGBT

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el campo del foso 194W para el canal dual NXH300B100H4Q2F2PG de los módulos 3 de IGBT

módulos duales de 194W IGBT

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Parada de campo del foso de NXH300B100H4Q2F2PG

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