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Inversor 26-DIP trifásico del módulo del silicio IGBT de NXH35C120L2C2S1G

Name: Inversor 26-DIP trifásico del módulo del silicio IGBT de NXH35C120L2C2S1G
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH35C120L2C2S1G
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Inversor 26-DIP trifásico del módulo del silicio IGBT de NXH35C120L2C2S1G

Ampliación de imagen : Inversor 26-DIP trifásico del módulo del silicio IGBT de NXH35C120L2C2S1G

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	NXH35C120L2C2S1G

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	módulo 26-PowerDIP
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Inversor 26-DIP trifásico del módulo del silicio IGBT de NXH35C120L2C2S1G

Descripción

Número de parte:	NXH35C120L2C2S1G	Producto:	Módulos del silicio de IGBT
Configuración:	inversor trifásico	Corriente de la salida del Puerta-emisor:	nA 400
Voltaje - aislamiento:	2500Vrms	Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:	2.4V @ 15V, 35A
Resaltar:	Inversor trifásico del módulo de IGBT , Inversor del módulo del silicio IGBT , NXH35C120L2C2S1G

Inversor 26-DIP trifásico del módulo del silicio IGBT de NXH35C120L2C2S1G

Inversor trifásico automotriz del módulo 26-DIP de los módulos NXH35C120L2C2S1G IGBT de IGBT

Descripción de producto de NXH35C120L2C2S1G

NXH35C120L2C2S1G es un módulo de poder transfer−molded que contiene un circuito del converter−inverter−brake que consiste en seis 35 A, 1600 rectificadores de V, seis 35 A, 1200 V IGBTs con los diodos inversos, el freno IGBT de una 35 A, de 1200 V con el diodo del freno y un termistor de NTC.

Especificación de NXH35C120L2C2S1G

Número de parte	NXH35C120L2C2S1G
Actual - atajo del colector (máximo)	µA 250
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce	8,33 N-F @ 20 V
Entrada	Puente rectificador trifásico
Termistor de NTC	Sí
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	A través del agujero
Paquete/caso	módulo 26-PowerDIP (1,199", 47.20m m)
Paquete del dispositivo del proveedor	26-DIP

Características de NXH35C120L2C2S1G

Resistencia termal baja
distancia de la liquidación de 6 milímetros del Pin al disipador de calor
Acuerdo 73 milímetros de × 40 milímetros de × paquete de 8 milímetros
Pernos de Solderable
Termistor
Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
TPS61230DRCR	SON10
IPD30N06S2L-23	TO-252
TPS76633DR	SOP8
MCV14AT-I/SL	SOP-14
PL123-05SC	SOP8
LM5071MTX-80	TSSOP-16

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Inversor 26-DIP trifásico del módulo del silicio IGBT de NXH35C120L2C2S1G

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