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Inversor de Circuit Three Phase del conductor del módulo de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Name: Inversor de Circuit Three Phase del conductor del módulo de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH50C120L2C2ES1G
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Inversor de Circuit Three Phase del conductor del módulo de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Ampliación de imagen : Inversor de Circuit Three Phase del conductor del módulo de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	NXH50C120L2C2ES1G

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	módulo 26-PowerDIP
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Inversor de Circuit Three Phase del conductor del módulo de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Descripción

Número de parte:	NXH50C120L2C2ES1G	Corriente de colector continua en 25°C:	50 A
Voltaje de saturación del Colector-emisor:	1,8 V	Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	1.2kV
Configuración:	inversor trifásico	Producto:	Módulos del silicio de IGBT
Resaltar:	conductor Circuit del módulo de 1.2kV IGBT , Conductor Circuit del módulo de IGBT , NXH50C120L2C2ES1G

Inversor de Circuit Three Phase del conductor del módulo de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

Inversor trifásico automotriz de los módulos NXH50C120L2C2ES1G de IGBT con el freno 26-DIP

Descripción de producto de NXH50C120L2C2ES1G

NXH50C120L2C2ES1G es un módulo de poder transfer−molded con el substrato bajo de la resistencia termal que contiene un circuito del converter−inverter que consiste en seis 50 A, 1600 rectificadores de V, seis 50A, 1200V IGBTs con los diodos inversos, y un termistor de NTC.

Especificación de NXH50C120L2C2ES1G

Número de parte:	NXH50C120L2C2ES1G
Corriente de la salida del Puerta-emisor:	nA 400
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 40 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Empaquetado:	Tubo
Tipo de producto:	Módulos de IGBT

Diagrama esquemático de NXH50C120L2C2ES1G

Inversor de Circuit Three Phase del conductor del módulo de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT 0

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
NCV4276BDSADJR4G	TO263-5
NCP5392EMNR2G	QFN40
NCP4206MNR2G	QFN48
SEMIX653GB176HDS	Módulo
LTC3776EUF	QFN24
SI4830CDY	SOP-8

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

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Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

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Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Inversor de Circuit Three Phase del conductor del módulo de NXH50C120L2C2ES1G 1.2kV IGBT

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