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Parada de campo automotriz del foso de los módulos de NXH400N100H4Q2F2SG IGBT

Name: Parada de campo automotriz del foso de los módulos de NXH400N100H4Q2F2SG IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH400N100H4Q2F2SG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Parada de campo automotriz del foso de los módulos de NXH400N100H4Q2F2SG IGBT

Ampliación de imagen : Parada de campo automotriz del foso de los módulos de NXH400N100H4Q2F2SG IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	NXH400N100H4Q2F2SG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Parada de campo automotriz del foso de los módulos de NXH400N100H4Q2F2SG IGBT

Descripción

Número de parte:	NXH400N100H4Q2F2SG	Tipo de IGBT:	Parada de campo del foso
Configuración:	Inversor de tres niveles	Voltaje - avería del emisor del colector:	1000 V
Actual - colector:	409 A	Poder - máximo:	959 W
Resaltar:	módulos automotrices de 959W IGBT , Módulos de tres niveles del inversor IGBT , NXH400N100H4Q2F2SG

Parada de campo automotriz del foso de los módulos de NXH400N100H4Q2F2SG IGBT

Módulos de tres niveles del inversor IGBT de la parada de campo del foso de NXH400N100H4Q2F2SG

Descripción de producto de NXH400N100H4Q2F2SG

Los módulos sic híbridos de NXH400N100H4Q2F2SG ofrecen la disipación de poder reducida pérdida baja del sistema que cambia, la disposición inductiva baja, el prensa-ajuste, y opciones del perno de la soldadura.

Especificación de NXH400N100H4Q2F2SG

Número de parte	NXH400N100H4Q2F2SG
Configuración:	inversor trifásico
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	1 kilovoltio
Voltaje de saturación del Colector-emisor:	1,77 V
Corriente de colector continua en 25 C:	409 A, 360 A

Características de NXH400N100H4Q2F2SG

Foso extremadamente eficiente con tecnología de la parada de campo
La pérdida que cambia baja reduce la disipación de poder del sistema
El diseño del módulo ofrece densidad de poder más elevado

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte	Paquete
5CSEBA6U23C8N	FBGA672
TRS3221ECPWR	TSSOP16
OPA4141AIDR	SOP14
5M570ZM100I5N	BGA
HMC545ETR	SOT23-6
XR21V1410IL16TR	QFN16

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

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Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

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Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Parada de campo automotriz del foso de los módulos de NXH400N100H4Q2F2SG IGBT

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