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MSCSM120HM31CTBL2NG módulos IGBT para automóviles Transistores de matriz de Mosfet de canal N

Name: MSCSM120HM31CTBL2NG módulos IGBT para automóviles Transistores de matriz de Mosfet de canal N
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120HM31CTBL2NG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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MSCSM120HM31CTBL2NG módulos IGBT para automóviles Transistores de matriz de Mosfet de canal N

Ampliación de imagen : MSCSM120HM31CTBL2NG módulos IGBT para automóviles Transistores de matriz de Mosfet de canal N

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSCSM120HM31CTBL2NG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

MSCSM120HM31CTBL2NG módulos IGBT para automóviles Transistores de matriz de Mosfet de canal N

Descripción

Número de la parte:	MSCSM120HM31CTBL2NG	Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:	31mOhm @ 40A, 20V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:	2.8V @ 1mA	Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:	232nC @ 20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:	3020pF @ 1000V	Poder - máximo:	310W
Resaltar:	MSCSM120HM31CTBL2NG , Modulos IGBT para automóviles MSCSM120HM31CTBL2NG

Modulos IGBT para automóviles Transistores de matriz de Mosfet de canal N de MSCSM120HM31CTBL2NG

Descripción del producto del MSCSM120HM31CTBL2NG

El dispositivo MSCSM120HM31CTBL2NG es un módulo de potencia MOSFET de 1200 V/79 A de carburo de silicio (SiC).

Las especificaciones del MSCSM120HM31CTBL2NG

Número de la parte	Las pruebas de seguridad de las aeronaves se realizarán en el interior de las instalaciones de la aeronave.
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable.
Potencia - máximo	Las demás:
Temperatura de funcionamiento	-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Características deLas pruebas de seguridad de las aeronaves se realizarán en el interior de las instalaciones de la aeronave.

Diodo SiC Schottky
Cero recuperación inversa
Recuperación hacia adelante nula

Otros tipos de productos de suministro

Número de la parte	Paquete
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	BGA
TDA8946AJ: las condiciones de los productos	El ZIP-17
ADA4091-4ARUZ, en el caso de las máquinas de la categoría A	TSSOP14
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	TSSOP-28, incluido el código TSSOP-28.
Se trata de un sistema de control de la calidad.	TSSOP20: las condiciones de los productos
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	SOP16 (en inglés)

Preguntas frecuentes

P: ¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede apoyar el pedido de pequeñas cantidades o muestra? ¿Es la muestra gratuita?
R: Sí, apoyamos el pedido de muestras y el pequeño pedido. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
¿Cómo envío mi pedido? ¿Es seguro?
R: Utilizamos el expreso para el envío, como DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su agente de envío sugerido.Los productos estarán en buen embalaje y garantizar la seguridad y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días hábiles. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted basado en la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Otros productos

módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

MSCSM120HM31CTBL2NG módulos IGBT para automóviles Transistores de matriz de Mosfet de canal N

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