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Módulos IGBT automotrices MSCSM120DHM31CTBL2NG de matriz Mosfet de 310W

Name: Módulos IGBT automotrices MSCSM120DHM31CTBL2NG de matriz Mosfet de 310W
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120DHM31CTBL2NG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Módulos IGBT automotrices MSCSM120DHM31CTBL2NG de matriz Mosfet de 310W

Ampliación de imagen : Módulos IGBT automotrices MSCSM120DHM31CTBL2NG de matriz Mosfet de 310W

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSCSM120DHM31CTBL2NG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulos IGBT automotrices MSCSM120DHM31CTBL2NG de matriz Mosfet de 310W

Descripción

Número de parte:	MSCSM120DHM31CTBL2NG	Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 175 C	Montaje del tipo:	Montaje en chasis
Paquete:	módulo	Tecnología:	SIC
Resaltar:	El Mosfet pone en orden los módulos automotrices de IGBT , módulos automotrices de 310W IGBT , arsenal del Mosfet de MSCSM120DHM31CTBL2NG

Módulos IGBT automotrices MSCSM120DHM31CTBL2NG de matriz Mosfet de 310W

Módulos automotrices IGBT MSCSM120DHM31CTBL2NG 310W Mosfet Array Transistores

Descripción del producto de MSCSM120DHM31CTBL2NG

El módulo de alimentación de diodo de silicio sin base MSCSM120DHM31CTBL2NG presenta un alto voltaje de bloqueo, una inductancia parásita muy baja, un peso ultrabajo y una baja resistencia térmica entre la unión y la caja.

Especificación de MSCSM120DHM31CTBL2NG

Número de parte	MSCSM120DHM31CTBL2NG
Potencia - Máx.	310W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en chasis
Paquete / Caja	Módulo

Características de MSCSM120DHM31CTBL2NG

Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Coeficiente de temperatura positivo en VF

Otros tipos de productos de suministro

Número de parte	Paquete
STTH2002D	TO-220-2
WM8523GEDT	TSSOP20
ICE3B0565J	DIP8
D2SW-P2L1H	ADEREZO
TM4C1231H6PZI7R	LQFP-100
XC6802A42XMR	SOT-25-5

Preguntas más frecuentes

P: ¿sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?
R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en existencia dentro de los 5 días hábiles. Si no hay existencias, le confirmaremos el tiempo de entrega en función de la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

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Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Módulos IGBT automotrices MSCSM120DHM31CTBL2NG de matriz Mosfet de 310W

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