Número de parte:NVTFS016N06CTAG
Tecnología:MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):10V
Número de parte:NVH4L080N120SC1
1200 V @ TJ:175°C
Tipo del RDS (encendido):mΩ 80
Número de parte:ADC3662IRSBR
Configuración:ADC
Ratio - ENVIANDO Y DIRIGIENDO: ADC:0:2
Número de parte:CY14E256LA-SZ45XI
Tipo de la memoria:Permanente
Formato de la memoria:NVSRAM
Número de parte:K4F6E3S4HM-MGCJ
Temperatura de funcionamiento (minuto):-25° C
Organización:x32
Número de parte:ADC3681IRSBR
Piso del ruido:-160 dBFS/Hz
INL/DNL:±7/±0.7 LSB (típico)
Número de parte:MIC2951-02YM-TR
Número de reguladores:1
Voltaje - entrado (máximo):30V
Número de parte:ISL91212BIIZ-T
Número de salidas:4
Voltaje - entrado (minuto):2.5V
Número de parte:ADAU1450WBCPZ-RL
base de 32 bits de SigmaDSP:Hasta 294,912 megaciclos
Parámetro/datos RAM:Hasta 40 kWords
Número de parte:IPW50R199CPFKSA1
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):550 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:17A (Tc)
Número de parte:STM32H743XIH6
Memoria Flash:Hasta 2 MBYTEs
Interfaz bimodal de la memoria de Patio-SPI:Funcionar con hasta 133 megaciclos
Número de parte:ATSAMD20E14A-MU
Procesador de la base:ARM® Cortex®-M0+
Tamaño de base:Solo-corazón de 32 bits