Porcelana Microprocesador del circuito integrado

transistores NTH4L025N065SC1 del MOSFET del canal N 650V a través de los chips CI del agujero TO-247-4

Número de parte:NTH4L025N065SC1

Temperatura de funcionamiento mínima:-55°C (TJ)

Paladio - disipación de poder:348 W
Microprocesador TO-247-3 del circuito integrado de los transistores NTHL020N120SC1 1200V del MOSFET del canal N

Número de parte:NTHL020N120SC1

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:28mOhm @ 60A, 20V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:2890 PF @ 800 V
sic transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N del MOSFET IMBG120R045M1H del foso 1200V

Número de parte:IMBG120R045M1H

El cortocircuito soporta tiempo:3 µs

Voltaje de la puerta de la vuelta-apagado:0V
Transistores del MOSFET del foso del microprocesador IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V del circuito integrado sic

Número de parte:IMBG120R060M1H

Corriente pulsada del dren:94A

Disipación de poder, TC = 25°C:181W
Transistores del MOSFET del foso TO-263-8 del carburo de silicio del canal N IMBG120R220M1H 1200V

Número de parte:IMBG120R220M1H

Tiempo de caída:11 ns

Transconductancia delantera - minuto:1,9 S
Transistores del MOSFET del poder del canal N del microprocesador MSC025SMA120J del circuito integrado

Número de parte:MSC025SMA120J

Temperatura de funcionamiento mínima:- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo:+ 175 C
Canal N 1200V 19A 94W de los transistores IMW120R140M1H del MOSFET del carburo de silicio a través del agujero

Número de parte:IMW120R140M1H

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Polaridad:N
Los ICs saltan los transistores del MOSFET del canal N del carburo de silicio de MSC025SMA120S 1200 V

Número de parte:MSC025SMA120S

Tipo del FET:Canal N

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:89A (Tc)
Transistores TO-247-4 del MOSFET del microprocesador MSC180SMA120B 1200V del circuito integrado sic

Número de parte:MSC180SMA120B

Polaridad del transistor:Canal N

Montaje de estilo:A través del agujero
Transistores TO-268-3 del MOSFET del microprocesador MSC090SMA070S 700V del circuito integrado sic

número de parte:MSC090SMA070S

Identificación - Corriente continua del dren:25A

resistencia termal del Empalme-a-caso (tipo):1.10W/°C
De silicio del carburo MSC015SMA070B4 del canal N chips CI de los transistores TO-247-4 del MOSFET sic

Número de parte:MSC015SMA070B4

Corriente pulsada del dren:350A

Factor que reduce la capacidad normal linear:3.03W/°C
Transistores automotrices 650V del MOSFET del grado de los transistores IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Número de parte:IPBE65R075CFD7AATMA1

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:139 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:- 20 V, + 20 V

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Microprocesador TO-247-3 del circuito integrado de los transistores NTHL020N120SC1 1200V del MOSFET del canal N

sic transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N del MOSFET IMBG120R045M1H del foso 1200V

Transistores del MOSFET del foso del microprocesador IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V del circuito integrado sic

Transistores del MOSFET del foso TO-263-8 del carburo de silicio del canal N IMBG120R220M1H 1200V

Transistores del MOSFET del poder del canal N del microprocesador MSC025SMA120J del circuito integrado

Canal N 1200V 19A 94W de los transistores IMW120R140M1H del MOSFET del carburo de silicio a través del agujero

Los ICs saltan los transistores del MOSFET del canal N del carburo de silicio de MSC025SMA120S 1200 V

Transistores TO-247-4 del MOSFET del microprocesador MSC180SMA120B 1200V del circuito integrado sic

Transistores TO-268-3 del MOSFET del microprocesador MSC090SMA070S 700V del circuito integrado sic

De silicio del carburo MSC015SMA070B4 del canal N chips CI de los transistores TO-247-4 del MOSFET sic

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