Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Transistores del MOSFET del poder del canal N del microprocesador MSC025SMA120J del circuito integrado

Número de parte:MSC025SMA120J

Temperatura de funcionamiento mínima:- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo:+ 175 C
Canal N 1200V 19A 94W de los transistores IMW120R140M1H del MOSFET del carburo de silicio a través del agujero

Número de parte:IMW120R140M1H

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Polaridad:N
Los ICs saltan los transistores del MOSFET del canal N del carburo de silicio de MSC025SMA120S 1200 V

Número de parte:MSC025SMA120S

Tipo del FET:Canal N

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:89A (Tc)
Transistores TO-247-4 del MOSFET del microprocesador MSC180SMA120B 1200V del circuito integrado sic

Número de parte:MSC180SMA120B

Polaridad del transistor:Canal N

Montaje de estilo:A través del agujero
Transistores TO-268-3 del MOSFET del microprocesador MSC090SMA070S 700V del circuito integrado sic

número de parte:MSC090SMA070S

Identificación - Corriente continua del dren:25A

resistencia termal del Empalme-a-caso (tipo):1.10W/°C
De silicio del carburo MSC015SMA070B4 del canal N chips CI de los transistores TO-247-4 del MOSFET sic

Número de parte:MSC015SMA070B4

Corriente pulsada del dren:350A

Factor que reduce la capacidad normal linear:3.03W/°C
Transistores automotrices 650V del MOSFET del grado de los transistores IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Número de parte:IPBE65R075CFD7AATMA1

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:139 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:- 20 V, + 20 V
Transistores 8-PowerTDFN del MOSFET del canal N del microprocesador BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrado

Número de parte:BSZ036NE2LSATMA1

Temperatura de funcionamiento máximo:+ 150 C

Paladio - disipación de poder:37 W
Microprocesador del circuito integrado de los transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N IMBG65R030M1HXTMA1

Número de parte:IMBG65R030M1HXTMA1

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:1643 PF @ 400 V

Disipación de poder (máxima):234W (Tc)
Microprocesador del circuito integrado de los transistores 8-PowerSFN del MOSFET del canal N IPT026N10N5ATMA1

Número de parte:IPT026N10N5ATMA1

Identificación (@ TC=25°C) - máximo:202 A

Identificación (@25°C) - máximo:202 A
Tipo transistores TO-263-8 del foso de IMBF170R450M1XTMA1 1700V del MOSFET del carburo de silicio

Número de parte:IMBF170R450M1XTMA1

Pin Count:7 pernos

Qg:11 nC
Microprocesador del circuito integrado de los transistores 8-PowerSFN del MOSFET del canal N IPT60R022S7XTMA1

Número de parte:IPT60R022S7XTMA1

Paquete/caso:HSOF-8

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:22 mOhms

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