Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Chip de circuito integrado MAX77986AEFD 19VIN 3.5A Gestión de la batería

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado ADP5350ACBZ-1 16V Gestión de baterías PMIC WLCSP32

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado MAX17263LETD Medidores de combustible para la gestión de la batería TDFN14

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado ITV9550L3060MR IC de gestión de baterías para herramientas eléctricas

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado MAX20353CEWN 2.7V a 5.5V Gestión de la batería WFBGA56

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPDD60R125G7 20A 120W Transistor MOSFET de alta tensión

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPD70R1K4P7S Transistor MOSFET de potencia única de 700V 4A

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPD80R1K2P7 MOSFET de potencia única montado en la superficie del transistor

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPAN60R280PFD7S N Canal de potencia MOSFET Transistor 600V

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Transistores electrónicos del MOSFET del poder de los circuitos integrados SCT3060ARC14 sic

Número de parte:SCT3060ARC14

Voltaje de la impulsión:18V

Vgs (máximo):+22V, -4V
El canal N de los transistores SCT3160KW7HRTL 1200V sic acciona los transistores TO-263-7L del MOSFET

Número de parte:SCT3160KW7HRTL

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:5,6 V

Tiempo de caída:9 ns
Transistores 262W del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N SCT2080KEGC11 TO-247-3

Número de parte:SCT2080KEGC11

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:80 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:- 6 V, + 22 V

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