Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Transistores 262W del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N SCT2080KEGC11 TO-247-3

Número de parte:SCT2080KEGC11

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:80 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:- 6 V, + 22 V
El canal N del microprocesador TO-247-4 del circuito integrado SCT3080KRC14 sic acciona los transistores del MOSFET

Número de parte:SCT3080KRC14

Número de canales:1 canal

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:104mOhm @ 10A, 18V
El canal N del microprocesador SCT4045DEC11 del circuito integrado sic acciona los transistores TO-247-3 del MOSFET

Número de parte:SCT4045DEC11

Tiempo de retraso de abertura típico:5,8 ns

Tiempo de subida:28 ns
El canal N sic acciona el microprocesador del circuito integrado de los transistores SCT4045DW7TL TO-263-7L del MOSFET

Número de parte:SCT4045DW7TL

Drenaje - Voltaje de ruptura de la fuente:750V

Puerta - corriente de la salida de la fuente (máxima):100nA
El canal N automotriz del grado SCT4026DEHRC11 sic acciona los transistores TO-247-3 del MOSFET

Número de parte:SCT4026DEHRC11

Identificación de Vgs (th) (máximo) @:4,8 V a 15,4 mA

Montaje del tipo:A través del agujero
El canal N sic acciona el grado automotriz TO-247-3 de los transistores SCT4062KEHRC11 del MOSFET

Número de parte:SCT4062KEHRC11

Modo del canal:Aumento

Tipo del transistor:1 canal N
El canal N del microprocesador SCT4013DRC15 del circuito integrado sic acciona los transistores del MOSFET

Número de parte:SCT4013DRC15

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):18V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:16.9mOhm @ 58A, 18V
El canal N SCT2450KEGC11 sic acciona el microprocesador del circuito integrado de los transistores TO-247-3 del MOSFET

Número de parte:SCT2450KEGC11

Transconductancia delantera - minuto:1 s

Tipo del FET:Canal N
El canal N sic acciona el grado automotriz TO-247-3 de los transistores SCT2080KEHRC11 del MOSFET

Número de parte:SCT2080KEHRC11

Voltaje de la Dren-fuente:1200V

resistencia del En-estado de la Dren-fuente (tipo.):80mΩ
1200V transistores TO-247-3 del MOSFET del poder del carburo de silicio del canal N SCT3080KLGC11

Número de parte:SCT3080KLGC11

Identificación - corriente continua del dren:31 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:80 mOhms
El canal N de los transistores SCT3022KLHRC11 sic acciona los transistores TO-247-3 1200V del MOSFET

Número de parte:SCT3022KLHRC11

Temperatura de unión (máx.):175°C

Temperatura de almacenamiento (mínima):-55°C
Chip de circuito integrado STL33N60DM2 N Canal de potencia MOSFET Transistores 8PowerVDFN

Número de la parte:Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Voltagem de salida a la fuente (Vdss):Las demás:

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de combustibles fósiles se calcularán en función de

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El canal N sic acciona el microprocesador del circuito integrado de los transistores SCT4045DW7TL TO-263-7L del MOSFET

El canal N automotriz del grado SCT4026DEHRC11 sic acciona los transistores TO-247-3 del MOSFET

El canal N sic acciona el grado automotriz TO-247-3 de los transistores SCT4062KEHRC11 del MOSFET

El canal N del microprocesador SCT4013DRC15 del circuito integrado sic acciona los transistores del MOSFET

El canal N SCT2450KEGC11 sic acciona el microprocesador del circuito integrado de los transistores TO-247-3 del MOSFET

El canal N sic acciona el grado automotriz TO-247-3 de los transistores SCT2080KEHRC11 del MOSFET

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