Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Chip de circuito integrado IMZ120R030M1HXKSA1 1200V 56A Transistor de carburo de silicio TO-247-4

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado UF3C065080K3S Transistores SiC FET con mejora TO-247-3

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Transistores de circuito integrado con mejora de canal N UF3C065080T3S

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado UJ3C065080K3S 31A Transistores SiC FET de mejora TO-247-3

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado UJ3C065080T3S 650V 31A Transistores SiC FET de canal N TO-220-3

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
IPW60R017C7 Chip de circuito integrado 600V Transistores MOSFET de canal N TO-247-3

Número de parte:Se aplicará el procedimiento de ensayo.

Vgs (máximo):±20V

Disipación de poder (máxima):446W (Tc)
Chip de circuito integrado IPW65R150CFDA a través de un transistor MOSFET de potencia de 650V

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPN70R600P7S 6.9W Potencia MOSFET Transistores TO-261-4

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPN60R600PFD7S Transistores MOSFET de canal N 6A TO-261-4

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPN60R600P7S Transistores MOSFET únicos de 7W TO-261-4

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado SPA16N50C3 560V Transistor MOSFET de potencia de canal N TO-220-3

Número de la parte:SPA16N50C3

Voltagem de salida a la fuente (Vdss):560 V

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:16A (Tc)
Chip de circuito integrado IPB038N12N3G Transistores MOSFET de potencia de canal N de 120 V

Número de la parte:Se aplicará el procedimiento siguiente:

Tipo de FET:N-canal

Tecnología:MOSFET (óxido de metal)

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Chip de circuito integrado UF3C065080K3S Transistores SiC FET con mejora TO-247-3

Transistores de circuito integrado con mejora de canal N UF3C065080T3S

Chip de circuito integrado UJ3C065080K3S 31A Transistores SiC FET de mejora TO-247-3

Chip de circuito integrado UJ3C065080T3S 650V 31A Transistores SiC FET de canal N TO-220-3

IPW60R017C7 Chip de circuito integrado 600V Transistores MOSFET de canal N TO-247-3

Chip de circuito integrado IPW65R150CFDA a través de un transistor MOSFET de potencia de 650V

Chip de circuito integrado IPN70R600P7S 6.9W Potencia MOSFET Transistores TO-261-4

Chip de circuito integrado IPN60R600PFD7S Transistores MOSFET de canal N 6A TO-261-4

Chip de circuito integrado IPN60R600P7S Transistores MOSFET únicos de 7W TO-261-4

Chip de circuito integrado SPA16N50C3 560V Transistor MOSFET de potencia de canal N TO-220-3

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