Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Chip de circuito integrado IPT039N15N5 OptiMOSTM 5 potencia MOSFET 150V Transistor

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  Chipe de circuito integrado GAN039-650NBBHP 650V Transistor FET de nitruro de galio CCPAK1212

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  Chip de circuito integrado BSC014N06NSSC 60V 261A Modo de mejora Transistor único

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  ICW50N65WR5 Chip de circuito integrado 650V 50A Transistores IGBT únicos TO-247-3

  Número de la parte:El número de unidades de producción es el siguiente:

  Peso de la unidad:6.047 g

  corriente de la salida del Puerta-emisor:nA 100

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  IXTP160N10T Chip de circuito integrado con modo de mejora de canal N 100V 160A Transistores MOSFET de potencia

  Número de la parte:El número de unidades de producción

  Tipo de FET:N-canal

  Tecnología:MOSFET (óxido de metal)

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  BSC026N08NS5 Chip de circuito integrado 80V OptiMOSTM 5 Transistores MOSFET de potencia

  Número de la parte:BSC026N08NS5

  Tecnología:Si

  Polaridad del transistor:N-canal

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  IPB100N04S4-H2 Chip de circuito integrado 40V OptiMOS-T2 Transistores MOSFET para automóviles

  Número de la parte:Se aplicará el procedimiento de ensayo.

  Polaridad del transistor:N-canal

  Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:40 V

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  IPDD60R050G7 Chip de circuito integrado de potencia de N-canal de 600V MOSFET Transistores HDSOP-10

  Número de la parte:Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISOFIX.

  Polaridad del transistor:N-canal

  Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:Las demás:

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  IPB042N10N3G Chip de circuito integrado 100V OptiMOS TM Potencia MOSFET Transistores TO-263-3

  Número de la parte:IPB042N10N3G

  Serie:OptiMOS™

  Tipo de FET:N-canal

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  IPP051N15N5 Chip de circuito integrado de 150 V de potencia de canal N MOSFET Transistores TO-220-3

  Número de la parte:IPP051N15N5

  Alturas:15.65 mm

  Duración:10 mm

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  SPA11N80C3 Chip de circuito integrado CoolMOS Transistores MOSFET de potencia de canal N para el paquete 220FP-3

  Número de la parte:SPA11N80C3

  Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente::Las demás:

  Id - Corriente de drenaje continua::11 A

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  IAUT165N08S5N029 Chip de circuito integrado 80V 2.9 mΩ Transistores MOSFET OptiMOSTM-5 para automóviles

  Número de la parte:Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los

  Polaridad del transistor::N-canal

  Número de canales::1 Canal

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