Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Transistores TO-247-4 de los MOSFETs del canal N del microprocesador SCT4045DRC15 del circuito integrado

  Número de parte:SCT4045DRC15

  Rds en - resistencia de la Dren-fuente:45 mOhms

  Paladio - disipación de poder:115 W

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  De los transistores SCT4036KW7TL del MOSFET 4to de la generación MOSFET 1200V 36mohm 40A sic

  Número de parte:SCT4036KW7TL

  Categoría de producto:MOSFET

  Polaridad del transistor:Canal N

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  Transistores discretos del semiconductor del microprocesador SCT4062KRHRC15 del circuito integrado

  Número de parte:SCT4062KRHRC15

  Tecnología:SiCFET (carburo de silicio)

  Identificación - corriente continua del dren:26 A

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  Transistores discretos de los MOSFETs de los FETs de los productos de semiconductor solos SCT3040KLGC11

  Número de parte:SCT3040KLGC11

  Drene al voltaje de la fuente:1200 V

  Carga de la puerta:107 nC

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  canal N del microprocesador TO-263-8 del circuito integrado de los transistores SCT4062KW7HRTL de 1200V 24A

  Número de parte:SCT4062KW7HRTL

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:1498 PF @ 800 V

  Disipación de poder (máxima):93W

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  Transistores TO-247-4 de los MOSFETs de los FETs del microprocesador SCT3030ARC14 del circuito integrado solos

  Número de parte:SCT3030ARC14

  Montaje de estilo:A través del agujero

  Paquete/caso:TO-247-4

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  Transistores TO-247-3 de los MOSFETs de los FETs del microprocesador SCT3080ALGC11 del circuito integrado solos

  Número de parte:SCT3080ALGC11

  Voltaje de la impulsión:18V

  Modo del canal:Aumento

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  Transistores TO-247-3 de los MOSFETs del canal N del microprocesador SCT3030ALGC11 del circuito integrado

  Número de parte:SCT3030ALGC11

  Temperatura de funcionamiento mínima:- 55°C

  Temperatura de funcionamiento máximo:+ 175°C

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  Transistores de los MOSFETs del carburo de silicio del canal N del microprocesador SCT3105KRC14 del circuito integrado

  Número de parte:SCT3105KRC14

  Vgs (máximo):+22V, -4V

  Identificación - corriente continua del dren:24 A

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  TO-247-3 a través de los circuitos integrados electrónicos de los transistores SCT3120ALGC11 del agujero

  Número de parte:SCT3120ALGC11

  Voltaje recomendado de la impulsión:18V

  Corriente pulsada del dren:52A

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  Transistores electrónicos del canal N 70A de los circuitos integrados SCT3030ALHRC11

  Número de parte:SCT3030ALHRC11

  Peso de unidad:6 g

  Tipo del transistor:1 canal N

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  1 microprocesador actual de alta precisión del circuito integrado del sensor 80kHz del canal TMCS1100A4QDRQ1

  Número de parte:TMCS1100A4QDRQ1

  Linearidades:el ±0.05%

  Tiempo de respuesta:6.5µs

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