Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Transistores electrónicos de los circuitos integrados IKQ50N120CH7XKSA1 1200V 71A

  Número de parte:IKQ50N120CH7XKSA1

  Temperatura de empalme máxima:175°C

  Voltaje de saturación bajo:1,7 V

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  Parada de campo del foso del chip CI IKW08N120CS7XKSA1 1200V 21A 106W IGBT a través del agujero

  Número de parte:IKW08N120CS7XKSA1

  Tecnología:Si

  Categoría de producto:Transistores de IGBT

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  Solos IGBT 1200V 82A transistores del chip CI IKQ75N120CH7XKSA1 a través del agujero

  Número de parte:IKQ75N120CH7XKSA1

  Tiempo de recuperación reversa:149 ns

  Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)

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  Solos transistores discretos del semiconductor de IGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721W

  Número de parte:IKY100N120CH7XKSA1

  Tipo de IGBT:Parada de campo del foso

  Carga de la puerta:714 nC

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  Soporte superficial de los transistores SCTH60N120G2-7 TO-263-8 del canal N del carburo de silicio

  Número de parte:SCTH60N120G2-7

  Modo del canal:Aumento

  Configuración:Solo

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  Transistores de los MOSFETs del canal N 750V 56A 176W SCT4026DRHRC15 del chip CI solos

  Número de parte:SCT4026DRHRC15

  Montaje del tipo:A través del agujero

  Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)

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  Los transistores SCT3080ARHRC15 del canal N sic accionan el microprocesador del circuito integrado del MOSFET 650V

  Número de parte:SCT3080ARHRC15

  Paquete/caso:TO-247-4L

  Modo del canal:Aumento

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  Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero

  Número de parte:SCT2280KEGC11

  Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:14A (Tc)

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:36 nC @ 18 V

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  El canal N sic acciona los transistores del microprocesador TO-263-8 del circuito integrado del MOSFET SCT4062KW7TL

  Número de parte:SCT4062KW7TL

  Categoría de producto:MOSFET

  Tipo del FET:Canal N

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  Microprocesador TO-247-3 650V del circuito integrado de la parada de campo del foso de IGBT IKW40N65ET7XKSA1

  Número de parte:IKW40N65ET7XKSA1

  Tipo de IGBT:Parada de campo del foso

  Energía que cambia:1.05mJ (encendido), 590µJ (apagado)

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  Del circuito integrado solos IGBT transistores TO-247-3 del microprocesador IKW50N120CH7XKSA1

  Número de parte:IKW50N120CH7XKSA1

  Energía que cambia:2.33mJ (encendido), 1.12mJ (apagado)

  Tipo entrado:Estándar

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  Transistores del carburo de silicio del canal N del microprocesador MSC025SMA120B del circuito integrado

  Número de parte:MSC025SMA120B

  Situación del producto:Activo

  Tipo del FET:Canal N

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