Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Transistores discretos de los MOSFETs de los productos de semiconductor IPDQ60R040S7XTMA1

Número de parte:IPDQ60R040S7XTMA1

Tecnología:Si

Canales:1
Soporte superficial de los transistores electrónicos de los circuitos integrados IPDQ60R022S7XTMA1

Número de parte:IPDQ60R022S7XTMA1

Identificación de Vgs (th) (máximo) @:4.5V @ 1.44mA

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Transistores del canal N del carburo de silicio del MOSFET del chip CI NTH4L020N090SC1 484W

Número de parte:NTH4L020N090SC1

Tecnología:SiCFET (carburo de silicio)

Tipo del FET:Canal N
Transistores superficiales del canal N del soporte 8-HPSOF del chip CI NVBLS001N06C 60V 51A

Número de parte:NVBLS001N06C

Identificación - corriente continua del dren:422 A

Temperatura de funcionamiento máximo:+ 175 C
Transistores del canal N 1200V 31A del microprocesador NTHL080N120SC1A del circuito integrado

Número de parte:NTHL080N120SC1A

Rds encendido:110mOhm

Vgs:4.3V
Transistores del canal N 1200V 68A de Chip Integrated Circuit NVH4L022N120M3S

Número de parte:NVH4L022N120M3S

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:68A (Tc)

Voltaje de la impulsión:18V
Transistores electrónicos del canal N de los MOSFETs de los circuitos integrados NTBLS1D1N08H

Número de parte:NTBLS1D1N08H

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:1.05mOhm @ 50A, 10V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:11200 PF @ 40 V
Transistores del carburo de silicio del MOSFET de Chip Integrated Circuit NTBG080N120SC1

Número de parte:NTBG080N120SC1

Voltaje de Drain−to−Source:1200 V

Voltaje de Gate−to−Source:−15/+25 V
Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG

Número de parte:NTTFD4D0N04HLTWG

Tecnología:MOSFET (óxido de metal)

Configuración:Canal N 2 (dual)
Sic canal N 1200V 60A 348W del MOSFET NTHL040N120SC1 a través del agujero TO-247-3

Número de parte:NTHL040N120SC1

Tipo del FET:Canal N

Tecnología:SiCFET (carburo de silicio)
MOSFET del microprocesador NVMTS0D7N04CTXG del circuito integrado – solo canal N 40 V los 0.67m 420A del poder

Número de parte:NVMTS0D7N04CTXG

Categoría de producto:MOSFET

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:0.67mOhm @ 50A, 10V
A través de los transistores discretos del semiconductor del canal N TO-247-3 del agujero NVHL060N090SC1

Número de parte:NVHL060N090SC1

Corriente cero del dren del voltaje de la puerta:100 UA

Corriente de la salida de Gate−to−Source:±1 UA

Page 410 of 1753|< << 405 406 407 408 409 410 411 412 413 414 >> >|

Microprocesador del circuito integrado

CYPD6227-96BZXI Chip de circuito integrado con doble puerto USB controlador de tipo C IC VFBGA96

MC33984CHFKR2 circuito integrado controladores de carga de chips IC interruptores de distribución de energía

MCZ33905DD5EKR2 Chip de sistema de circuito integrado Chip base con alta velocidad CAN y LIN

Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Transistores discretos de los MOSFETs de los productos de semiconductor IPDQ60R040S7XTMA1

Soporte superficial de los transistores electrónicos de los circuitos integrados IPDQ60R022S7XTMA1

Transistores del canal N del carburo de silicio del MOSFET del chip CI NTH4L020N090SC1 484W

Transistores superficiales del canal N del soporte 8-HPSOF del chip CI NVBLS001N06C 60V 51A

Transistores del canal N 1200V 31A del microprocesador NTHL080N120SC1A del circuito integrado

Transistores del canal N 1200V 68A de Chip Integrated Circuit NVH4L022N120M3S

Transistores electrónicos del canal N de los MOSFETs de los circuitos integrados NTBLS1D1N08H

Transistores del carburo de silicio del MOSFET de Chip Integrated Circuit NTBG080N120SC1

Transistores superficiales del soporte 12-WQFN del arsenal 40V 15A del Mosfet de NTTFD4D0N04HLTWG

Sic canal N 1200V 60A 348W del MOSFET NTHL040N120SC1 a través del agujero TO-247-3

MOSFET del microprocesador NVMTS0D7N04CTXG del circuito integrado – solo canal N 40 V los 0.67m 420A del poder

A través de los transistores discretos del semiconductor del canal N TO-247-3 del agujero NVHL060N090SC1

Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad