Cantidad de orden mínima:10
Precio:Contact for Sample
Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Número de la parte:IMZA65R083M1H
Corriente del pulso del diodo:143 A
Diodo continuo adelante actual:53 A
Número de la parte:IMBG65R260M1H
Modo del canal:Aumento
Categoría de productos:MOSFET
Cantidad de orden mínima:10
Precio:Contact for Sample
Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Número de la parte:NTMYS5D3N04CTWG
Transconductancia delantera - minuto:53 S
Tipo de transistor:1 canal N
Número de la parte:NTMFS6H818NLT1G
Pd - Disposición de energía:140 W
Resistencia de la Dren-fuente:3,2 mOhms
Número de la parte:MT29F4G08ABAFAWP-IT: F
Organizaciones:512 M x 8
Tamaño de la memoria:4 Gbit
Número de la parte:IXBH20N360HV
Voltaje - avería del emisor del colector:3600 V
Actual - colector:70 A
Cantidad de orden mínima:10
Precio:Contact for Sample
Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Cantidad de orden mínima:10
Precio:Contact for Sample
Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Número de la parte:NTBG060N090SC1
Disipación de poder (máxima):3.6W (TA), 211W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Cantidad de orden mínima:10
Precio:Contact for Sample
Detalles de empaquetado:Paquete estándar