Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Entrada o salida configurable 64-WFQFN del software del canal del patio de los chips CI AD74412RBCPZ-RL7

  Número de parte:AD74412RBCPZ-RL7

  Voltaje - fuente:14V ~ 26.4V, 2.7V ~ 5.5V

  Tasa de muestreo (por segundo):4.8k

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  Muestra audio Rate Converter 42-WLCSP del microprocesador ADAU1788BCBZRL7 del circuito integrado

  Número de parte:ADAU1788BCBZRL7

  Funcionamiento:Hasta 50 MIPS

  SNR:DB 96

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  Paquete de IC 64-WFQFN del interfaz audio del microprocesador ADAU1861BCSZ-RL del circuito integrado

  Número de parte:ADAU1861BCSZ-RL

  Tipo:Audio

  Situación del producto:Activo

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  Los ICs saltan IAUT260N10S5N019 los transistores superficiales del soporte del canal N 100V 260A 300W

  Número de parte:IAUT260N10S5N019

  Tecnología:MOSFET (óxido de metal)

  Disipación de poder (máxima):300W (Tc)

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  Soporte superficial del circuito integrado electrónico de los transistores IPQC60R017S7A del canal N

  Número de parte:IPQC60R017S7A

  Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)

  Vgs (máximo):±20V

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  Regulador descender síncrono de LT8609IMSE#WTR 42V 3A con la corriente quieta 2.5µA

  Número de parte:LT8609IMSE#WTR

  Número de salidas:1 salida

  Gama del voltaje:3.0V a 42V

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  Los ICs saltan el canal N 1200V 68A 352W de los MOSFETs NTH4L022N120M3S a través del agujero TO-247-4L

  Número de parte:NTH4L022N120M3S

  Montaje de estilo:A través del agujero

  Número de canales:1 canal

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  Parada de campo del foso de los transistores FGHL40T65MQDT IGBT 650V 60A 23 W a través del agujero TO-247-3

  Número de parte:FGHL40T65MQDT

  Tipo de IGBT:Parada de trinchera

  Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):650 V

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  A través de los transistores de la parada de campo del foso del agujero TO-247-4 FGHL75T65LQDTL4 IGBT

  Número de parte:FGHL75T65LQDTL4

  Tipo de IGBT:Parada de trinchera

  Carga de la puerta:779 nC

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  Transistores NTHL027N65S3HF del canal N 650V a través del paquete del agujero TO-247-3

  Número de parte:NTHL027N65S3HF

  Voltaje de la impulsión:10V

  Vgs (máximo):±30V

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  Paquete de los transistores TO-247-4 de la parada de campo del foso de IGBT 80A FGHL75T65MQDTL4

  Número de parte:FGHL75T65MQDTL4

  Voltaje de Collector−Emitter:1200V

  Voltaje de Gate−Emitter:±20V

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  solos IGBTs transistores FGH4L40T120LQD TO-247-4 de 1200V 306W a través del agujero

  Número de parte:FGH4L40T120LQD

  Voltaje - avería del emisor del colector:1200 V

  Voltaje de saturación del Colector-emisor:1,55 V

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