Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Transistores superficiales de los MOSFETs de los FETs del canal N 60A del soporte NTBG040N120SC1 solos

Número de parte:NTBG040N120SC1

Voltaje de la impulsión:20V

Vgs (máximo):+25V, -15V
Transistores de los MOSFETs de los FETs del paquete IAUTN06S5N008G del chip CI PG-HSOG-8-1 solos

Número de parte:IAUTN06S5N008G

Paquete:PG-HSOG-8-1

Terminales:8
484-BGA arsenal de puerta programable del campo del paquete XC7S75-1FGGA484C Spartan-7 IC

Número de parte:XC7S75-1FGGA484C

Laboratorios:6000

Elementos de lógica/células:76800
66kHz TO-3P-5L con tiempo de retorno off-line del convertidor de los convertidores FS7M0880YDTU de la CA DC del agujero

Número de parte:FS7M0880YDTU

aislamiento de la salida:Aislado

Interruptores internos:SÍ
Los ICs saltan el canal N 700V 131A 400W de los transistores MSC015SMA070 a través del agujero TO-247-3

Número de parte:MSC015SMA070

Tipo del FET:Canal N

Tecnología:SiCFET (carburo de silicio)
TO-247-4 a través de los solos transistores del canal N del agujero MSC080SMA120 1200V 37A

Número de parte:MSC080SMA120

Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)

Disipación de poder:200W (Tc)
diodo TO-247-3 de Schottky del carburo de silicio de la recuperación cero del diodo MSC050SDA120B de 1200V

Número de parte:MSC050SDA120B

Voltaje delantero (SI = 50 A, TJ = °C) 25 - máximo:1.8V

Voltaje - delantero (Vf) (máximo) @ si:1,8 V @ 50 A
Transistores superficiales del canal N del paquete MSC180SMA120 21A 125W del soporte TO-268

Número de parte:MSC180SMA120

Carga de la puerta:34 nC @ 20 V

Rds encendido:225mOhm @ 8A, 20V
Transistores MSC400SMA330 TO-247-4 del canal N del carburo de silicio a través del agujero

Número de parte:MSC400SMA330

Corriente continua del dren:11 A

Voltaje del umbral de la Puerta-fuente:2,97 V
1 MOSFET del poder de los transistores TO-247-4 del carburo de silicio del canal N MSC060SMA070B4 700V

Número de parte:MSC060SMA070B4

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:1.9V

Qg - carga de la puerta:56 nC
Transistor de empalme del carburo de silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V del canal N TO-247-4

Número de parte:IMYH200R012M1H

Serie:CoolSiC™

Vgs (máximo):+20V, -7V
enchufe de 50kB SE050E2HQ1 y circuitos integrados electrónicos seguros del elemento 20XFQFN de la confianza

Número de parte:SE050E2HQ1

Memoria del usuario:kB 50

Tamaño:3m m x 3m m

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TO-247-4 a través de los solos transistores del canal N del agujero MSC080SMA120 1200V 37A

diodo TO-247-3 de Schottky del carburo de silicio de la recuperación cero del diodo MSC050SDA120B de 1200V

Transistores superficiales del canal N del paquete MSC180SMA120 21A 125W del soporte TO-268

Transistores MSC400SMA330 TO-247-4 del canal N del carburo de silicio a través del agujero

1 MOSFET del poder de los transistores TO-247-4 del carburo de silicio del canal N MSC060SMA070B4 700V

Transistor de empalme del carburo de silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V del canal N TO-247-4

enchufe de 50kB SE050E2HQ1 y circuitos integrados electrónicos seguros del elemento 20XFQFN de la confianza

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