Porcelana Módulos automotrices de IGBT

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  Los módulos automotrices 1200V de NXH25C120L2C2SG IGBT moldeo a presión

  Número de parte:NXH35C120L2C2S1G

  Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:6,2 N-F @ 20 V

  Entrada:puente rectificador trifásico

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  Inversor 26-DIP trifásico del módulo del silicio IGBT de NXH35C120L2C2S1G

  Número de parte:NXH35C120L2C2S1G

  Producto:Módulos del silicio de IGBT

  Configuración:inversor trifásico

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  3 módulos automotrices FAM65V05DF1 del poder elegante IGBT de la fase

  Número de parte:FAM65V05DF1

  Configuración:fase 3

  Voltaje:650 V

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  Puente del módulo 650V H del conductor IGBT del poder de NXV65HR82DZ1 16-SSIP

  Número de parte:NXV65HR82DZ1

  Tipo:MOSFET

  Configuración:H-puente

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  2 módulos automotrices 650V 33A FAM65CR51DZ2 del silicio independiente IGBT

  Número de parte:FAM65CR51DZ2

  Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)

  Termistor de SNTC bcategory:Sí

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  el campo del foso 194W para el canal dual NXH300B100H4Q2F2PG de los módulos 3 de IGBT

  Número de parte:NXH300B100H4Q2F2PG

  Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)

  Termistor de SNTC bcategory:Sí

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  3 módulo automotriz NXH25T120L2Q1PTG Q1 1200V 81W de la fase IGBT

  Número de la parte:NXH25T120L2Q1PTG

  Temperatura máxima de funcionamiento:+ 150 °C

  Subcategoría:IGBTs

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  Módulos automotrices trifásicos NXH50M65L4C2SG del inversor 650V IGBT

  Número de parte:NXH50M65L4C2SG

  Temperatura de funcionamiento máximo:+ 150 C

  Subcategoría:IGBTs

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  IGBT soporte 1200V 40A de 3 de la fase del inversor chasis del módulo NXH40T120L3Q1PG

  Número de parte:NXH40T120L3Q1PG

  Configuración:inversor trifásico

  Voltaje de saturación del Colector-emisor:1,85 V

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  Módulos automotrices 1200V de NXH40T120L3Q1SG IGBT trifásicos

  Número de la parte:NXH40T120L3Q1SG

  Ingreso:puente rectificador trifásico

  Corriente - límite del colector (máximo):µA 400

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  módulo 2 NXH450B100H4Q2F2SG independiente de 234W 1000V IGBT sin plomo

  Número de la parte:NXH450B100H4Q2F2SG

  corriente de la salida del Puerta-emisor:nA 800

  Pd - Disposición de energía:234 W

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  Módulos automotrices 1200V NXH80T120L3Q0S3G de la parada de campo del foso IGBT

  Número de la parte:NXH80T120L3Q0S3G

  Corriente - límite del colector (máximo):300 µA

  Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 80A

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