Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Módulos discretos automotrices del semiconductor IGBT de los módulos FP25R12KT4B11BPSA1 de IGBT

Número de parte:FP25R12KT4B11BPSA1

VCEO:1200 V

Paladio - disipación de poder:160 W
Módulos automotrices del inversor IGBT del puente de los módulos FF750R17ME7DB11BPSA1 de IGBT medios

Número de parte:FF750R17ME7DB11BPSA1

Resistencia clasificada:kΩ 5

Desviación de R100:-5- 5%
Los módulos automotrices FF45MR12W1M1B11BOMA1 de IGBT se doblan módulo del MOSFET de 1200V CoolSiC

Número de parte:FF45MR12W1M1B11BOMA1

Corriente del dren de DC:25A

Voltaje del umbral de la puerta (tipo):4.5V
Puente de la parada de campo del foso del módulo de FF225R17ME7B11BPSA1 1700V 225A IGBT medio

Número de parte:FF225R17ME7B11BPSA1

Tipo de IGBT:Parada de trinchera

Configuración:medio puente
Inversor lleno del puente de los módulos FS100R12N2T7B15BPSA1 1200V 100A 20mW de IGBT

Número de parte:FS100R12N2T7B15BPSA1

Configuración:Inversor lleno del puente

Corriente de la salida del Puerta-emisor:nA 100
MOSFET automotriz de los módulos 1200V CoolSiC de los módulos FF8MR12W2M1PB11BPSA1 IGBT de IGBT

Número de parte:FF8MR12W2M1PB11BPSA1

Voltaje:1200 V

Resistencia:mΩ 8
Módulos trifásicos automotrices del silicio del inversor IGBT de los módulos FP35R12N2T7BPSA2 de IGBT

Número de parte:FP35R12N2T7BPSA2

Peso:24g

Corriente máxima repetidor del dren:30A
Módulo automotriz 1200V del puente de los módulos FF11MR12W1M1PB11BPSA1 11mΩ de IGBT medio

Número de parte:FF11MR12W1M1PB11BPSA1

Serie:CoolSiC™+

Tecnología:Carburo de silicio (sic)
Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

Número de parte:FF8MR12W2M1B11BOMA1

IDRM:300a

Energía almacenada de COSS:µJ 264
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 módulos de tres niveles del soporte IGBT del chasis del inversor 950V 70A

Número de parte:FS3L200R10W3S7FB94BPSA1

Corriente ejecutada del dren:15A

Entrada:Estándar
medios módulos automotrices del módulo FF6MR12W2M1PB11BPSA1 1200V IGBT del puente 6mΩ

Número de parte:FF6MR12W2M1PB11BPSA1

voltaje de la Dren-fuente (Tvj = 25°C):1200V

Voltaje de la Puerta-fuente:-10 V/20 V
Transistores de los módulos del poder medio IGBT de FS300R17OE4B81BPSA1 1700V 300A 20mW

Número de parte:FS300R17OE4B81BPSA1

Voltaje - avería del emisor del colector:1700 V

Actual - colector:300 A

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Módulos automotrices de IGBT

Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

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Módulo automotriz 1200V del puente de los módulos FF11MR12W1M1PB11BPSA1 11mΩ de IGBT medio

Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 módulos de tres niveles del soporte IGBT del chasis del inversor 950V 70A

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Transistores de los módulos del poder medio IGBT de FS300R17OE4B81BPSA1 1700V 300A 20mW

Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad