Porcelana Módulos automotrices de IGBT

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  Soporte automotriz del chasis de los módulos FP150R12N3T7B11BPSA1 1200V 150A 20mW de IGBT

  Número de parte:FP150R12N3T7B11BPSA1

  Categoría de producto:Módulos de IGBT

  Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:1.8V @ 15V, 150A

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  inversor trifásico de la parada de campo del foso del módulo FP100R12N2T7B11BPSA1 de 1200V 100A IGBT

  Número de parte:FP100R12N2T7B11BPSA1

  Serie:EconoPIM™ 2

  Tipo de IGBT:Parada de trinchera

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  carburo de silicio automotriz de los módulos 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

  Número de parte:FF6MR12W2M1B11BOMA1

  Montaje del tipo:Montaje en chasis

  Temperatura de funcionamiento (minuto):-40°C (TJ)

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  módulo automotriz del MOSFET de los módulos FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel de 25A IGBT

  Número de parte:FS45MR12W1M1B11BOMA1

  Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V (1,2 kV)

  Configuración:Canal N 6 (puente trifásico)

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  Módulos automotrices del transistor de empalme del carburo de silicio DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 IGBT

  Número de parte:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

  Tipo del FET:Canal N

  Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:45A (Tj)

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  Módulo automotriz del carburo de silicio de los módulos DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel de IGBT

  Número de parte:DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

  Tecnología:Carburo de silicio (sic)

  Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200V

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  módulo automotriz de los módulos 60A de los módulos DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 IGBT de 2000V IGBT

  Número de parte:DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

  Voltaje de la prueba del aislamiento:3.2kV

  Módulo perdido de la inductancia (tipo):14nH

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  MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT

  Número de parte:DF11MR12W1M1PB11BPSA1

  Serie:EasyPACK™

  Temperatura de funcionamiento (máxima):150°C (TJ)

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  módulos automotrices del MOSFET del carburo de silicio de los módulos DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT

  Número de parte:DF23MR12W1M1B11BPSA1

  VDSS:1200V

  Nom de la identificación:25A

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  Módulos automotrices de los transistores IGBT de los módulos FF600R12ME4WB73BPSA1 600A de IGBT

  Número de parte:FF600R12ME4WB73BPSA1

  Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:37 N-F @ 25 V

  Entrada:Estándar

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  Módulos de los transistores IGBT del soporte FS150R12N2T7B15BPSA1 1200V 150A del chasis

  Número de parte:FS150R12N2T7B15BPSA1

  Actual - atajo del colector:µA 12

  Temperatura de funcionamiento mínima:- 40 C

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  Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

  Número de parte:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

  Tecnología:Carburo de silicio (sic)

  Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V (1,2 kV)

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