Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Módulo de tres niveles automotriz del inversor 20mW IGBT de los módulos F3L11MR12W2M1B74BOMA1 de IGBT

Número de parte:F3L11MR12W2M1B74BOMA1

Serie:EasyPACK™

VDSS:1200 V
Módulos discretos de los productos de semiconductor de FS660R08A6P2FBBPSA1 750V 450A IGBT

Número de parte:FS660R08A6P2FBBPSA1

Voltaje delantero:2,50 V

Paladio - disipación de poder:W 1053
Módulo automotriz del MOSFET de los módulos F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC de IGBT

Número de parte:F415MR12W2M1B76BOMA1

voltaje de la Dren-fuente (Tvj = 25°C):1200V

Voltaje de la Puerta-fuente:-10 V/20 V
1200V módulos automotrices llenos 20mW del módulo F423MR12W1M1B11BOMA1 IGBT del puente IGBT

Número de parte:F423MR12W1M1B11BOMA1

Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:3,68 N-F @ 800 V

Entrada:Estándar
soporte automotriz del chasis de los módulos FS75R12KT4B11BPSA1 de 1200V 75A 20mW IGBT

Número de parte:FS75R12KT4B11BPSA1

Datos del SC:870A

RthJC:0,145 K/W
Módulo automotriz 1200V del puente de los módulos F411MR12W2M1B76BOMA1 4N-Channel de IGBT medio

Número de parte:F411MR12W2M1B76BOMA1

Configuración:Canal N 4 (medio puente)

Serie:EasyPACK™ CoolSiC™
Módulos automotrices 1200V 4N-Channel del arsenal F423MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT del Mosfet

Número de parte:F423MR12W1M1PB11BPSA1

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:50A

IDRM:100A
Módulos automotrices del inversor lleno IGBT del puente de la parada de campo del foso FS50R12N2T7B15BPSA2

Número de parte:FS50R12N2T7B15BPSA2

Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:N-F 11,1 @ 25 V

Índice termal relativo:140 ºC
Módulo automotriz del carburo de silicio de los módulos FF2MR12W3M1HB11BPSA1 de IGBT 4N-Channel

Número de parte:FF2MR12W3M1HB11BPSA1

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:2.27mOhm @ 400A, 18V

Paquete del dispositivo del proveedor:AG-EASY3B
Módulo automotriz de la parada de campo del foso del módulo de los módulos FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT de IGBT

Número de parte:FP50R12KT4B11BPSA1

Nom de IC:225 A

ICRM:450 A
Foso automotriz 2Independent de los módulos 20mW del módulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT de IGBT

Número de parte:FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Tipo de IGBT:Foso

Configuración:2 independiente
Módulos discretos automotrices del semiconductor IGBT de los módulos FP25R12KT4B11BPSA1 de IGBT

Número de parte:FP25R12KT4B11BPSA1

VCEO:1200 V

Paladio - disipación de poder:160 W

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Módulos automotrices de IGBT

Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

Módulo dual automotriz de los módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

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Módulo de tres niveles automotriz del inversor 20mW IGBT de los módulos F3L11MR12W2M1B74BOMA1 de IGBT

Módulos discretos de los productos de semiconductor de FS660R08A6P2FBBPSA1 750V 450A IGBT

Módulo automotriz del MOSFET de los módulos F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC de IGBT

1200V módulos automotrices llenos 20mW del módulo F423MR12W1M1B11BOMA1 IGBT del puente IGBT

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Módulo automotriz 1200V del puente de los módulos F411MR12W2M1B76BOMA1 4N-Channel de IGBT medio

Módulos automotrices 1200V 4N-Channel del arsenal F423MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT del Mosfet

Módulos automotrices del inversor lleno IGBT del puente de la parada de campo del foso FS50R12N2T7B15BPSA2

Módulo automotriz del carburo de silicio de los módulos FF2MR12W3M1HB11BPSA1 de IGBT 4N-Channel

Módulo automotriz de la parada de campo del foso del módulo de los módulos FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT de IGBT

Foso automotriz 2Independent de los módulos 20mW del módulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT de IGBT

Módulos discretos automotrices del semiconductor IGBT de los módulos FP25R12KT4B11BPSA1 de IGBT

Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad