Porcelana Módulos automotrices de IGBT

• 

  módulo automotriz de los transistores de los módulos DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

  Número de parte:DF11MR12W1M1B11BPSA1

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:124nC @ 15V

  Poder - máximo:20 mW

  Contactar ahora
• 

  Inversor trifásico de la parada de campo del foso del módulo de FP150R12N3T7PB11BPSA1 IGBT

  Número de parte:FP150R12N3T7PB11BPSA1

  Situación del producto:Activo

  Tipo de IGBT:Parada de trinchera

  Contactar ahora
• 

  Módulos automotrices del soporte IGBT del chasis del alto rendimiento FS820R08A6P2 714 W

  Número de parte:FS820R08A6P2

  VCEO:750 V

  Temperatura de funcionamiento mínima:- 40 C

  Contactar ahora
• 

  Parada de campo automotriz del foso de los módulos 870W de los módulos FS950R08A6P2LB 750V IGBT de IGBT

  Número de parte:FS950R08A6P2LB

  Aislamiento de DC 1sec:4.2kV

  Temperatura extendida a corto plazo de la operación:Tvj de Op. Sys. = 175°C

  Contactar ahora
• 

  Inversor trifásico de la parada de campo del foso de los módulos FS770R08A6P2LB 750V 450A de IGBT

  Número de parte:FS770R08A6P2LB

  Configuración:6-Pack

  Paladio - disipación de poder:654 W

  Contactar ahora
• 

  Módulos automotrices 650V de la parada de campo del foso de los módulos FS200R07A1E3 790W de IGBT IGBT

  Número de parte:FS200R07A1E3

  Poder - máximo:790 W

  Tipo de IGBT:Parada de trinchera

  Contactar ahora
• 

  Módulos automotrices de los transistores IGBT de los módulos FS770R08A6P2B 750V 450A 654W de IGBT

  Número de parte:FS770R08A6P2B

  Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:80 N-F @ 50 V

  Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)

  Contactar ahora
• 

  inversor trifásico automotriz de los módulos 650V de los módulos FS400R07A1E3 IGBT de 1250W IGBT

  Número de parte:FS400R07A1E3

  Actual - colector (Ic) (máximo):500 A

  Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:26000 PF @ 25 V

  Contactar ahora
• 

  Inversor trifásico automotriz de la parada de campo del foso de los módulos FS660R08A6P2FLB de IGBT

  Número de parte:FS660R08A6P2FLB

  Poder - máximo:W 1053

  Actual - atajo del colector:1 mA

  Contactar ahora
• 

  Módulos automotrices del soporte IGBT del chasis de los transistores FS05MR12A6MA1B 1.2kV 200A

  Número de parte:FS05MR12A6MA1B

  Paquete:Módulo

  Tecnología:Carburo de silicio (sic)

  Contactar ahora
• 

  Soporte automotriz del chasis del arsenal 1.2kV 400A 20mW del Mosfet de los módulos FS03MR12A6MA1LB de IGBT

  Número de parte:FS03MR12A6MA1LB

  Configuración:Sixpack

  Identificación:400A

  Contactar ahora
• 

  1200V soporte del chasis de los módulos 20mW del MOSFET del carburo de silicio de los transistores FS03MR12A6MA1B

  Número de parte:FS03MR12A6MA1B

  SERIE:HybridPACK™

  Tecnología:Carburo de silicio (sic)

  Contactar ahora