Número de parte:S26HS512TGABHI000
Rastros del control de la ruta (SCK y CS#):≤ 4 nH
Interfaz de la memoria:Interfaz SPI
Número de parte:S28HS512TGABHV013
Tipo de la memoria:Permanente
Almacenador intermediario programado de la página:256 o 512 bytes
Número de parte:MT25QU02GCBB8E12-0AUT
Densidad:2GB
De Op. Sys. Temporeros.:-40°C a +125°C
Número de la parte:S26HS512TGABHM003
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:1.7ms
Tiempo de acceso:5,45 ns
Número de parte:MT28EW01GABA1HJS-0AAT
Organización de la memoria:el 128M x 8, los 64M x 16
Tamaño de la memoria:1Gbit
Número de la parte:S26KS512SDPBHN020
Voltaje de fuente - minuto:1,7 V
Tiempo de acceso:96 ns
Número de la parte:S26HL512TFPBHB000
Tecnología:FLASH - NI (SLC)
Funcionamientos de la opción del SDR:Hasta 21-MBps
Número de la parte:S26HL01GTFPBHM020
Interfaz de memoria:HyperBus
Tamaño de la memoria:1Gbit
Número de la parte:S26KS512SDPBHV020
Estado latente leído de acceso aleatorio de la inicial:5 a 16 ciclos de reloj
Tipo que mide el tiempo:Sincronizado
Número de la parte:S26HS512TGABHV000
Frecuencia del reloj:200 MHz
Tecnología:FLASH - NI (SLC)
Número de la parte:S26HS01GTFPBHV023
Paquete:24-ball BGA
tamaño:8 x 8 milímetros
Número de la parte:S28HS512TGABHB013
Voltaje de fuente - minuto:1,7 V
Voltaje de fuente - máximo:2 V