Porcelana Chip IC de memoria

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  Chip de IC de memoria S70KL1283GABHV020 128Mbit Pseudo SRAM IC de memoria IC 24-FBGA chips de IC

  Número de la parte:S70KL1283GABHV020

  Final de la bola de la ventaja:No incluido

  Interfaces:xSPI (octal)

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  Chip de IC de memoria S27KS0642GABHB020 24-FBGA Seudo-SRAM IC de memoria de 200 MHz

  Número de la parte:S27KS0642GABHB020

  Organización de la memoria:8M x 8

  Ancho de banda del interfaz:400 MByte/s

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  Memoria IC 24-FBGA del microprocesador PSRAM del circuito integrado S27KS0643GABHA023

  Número de la parte:S27KS0643GABHA023

  Temporeros máximos del flujo:°C 260

  Interfaz de memoria:SPI - Entrada-salida octal

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  S70KL1282GABHB020 pseudo SRAM soporte superficial de IC 24-FBGA de la memoria de los chips CI 128Mbit

  Número de la parte:S70KL1282GABHB020

  Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:35ns

  Ayuda del interfaz:1,8 V/3,0 V

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  Pseudo paquete de IC 64Mbit HyperBus S27KL0642GABHI030 24-FBGA de la memoria de SRAM

  Número de la parte:S27KL0642GABHI030

  Tecnología:PSRAM (pseudo SRAM)

  Tipo de memoria:Las sustancias

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  S80KS2563GABHM023 ICs saltan la memoria automotriz IC de 256MBit 1.8V PSRAM en 24 FBGA

  Número de la parte:S80KS2563GABHM023

  Categoría de productos:Dispositivos de almacenamiento

  Tecnología:PSRAM (pseudo SRAM)

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  SRAM - Memoria síncrona IC 36Mbit 133MHz paralelo del SDR de CY7C1441KV33-133AXI

  Número de la parte:CY7C1441KV33-133AXI

  Tiempo de acceso:6,5 ns

  Voltagem - Suministro:3.135V ~ 3.6V

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  Memoria electrónica IC de los circuitos integrados S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM

  Número de la parte:S70KS1283GABHB020

  Señales del autobús:11

  Ómnibus de datos:8 bits

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  MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrónico: FLASH paralelo NAND Memory IC 48-TFSOP de G 2Gbit

  Número de la parte:MT29F2G08ABAGAWP-ITE: G

  Lectura al azar:25µs

  Programa de la página:300µs (TIPO)

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  Microprocesador MT29F2G01ABAGDWB-IT del circuito integrado: G NAND Flash Memory Chips asincrónico

  Número de la parte:MT29F2G01ABAGDWB-IT: G

  Corriente de la fuente - máxima:35 mA

  Tamaño:8m m x 6m m

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  TSOP-48 MT29F1G08ABAEAWP-IT: Chip de memoria paralelo 35mA de E 1Gbit asincrónico

  Número de la parte:MT29F1G08ABAEAWP-IT: E

  Tamaño del dispositivo:1Gb: 1024 bloques

  Tamaño de página x16:1056 palabras (1024 + 32 palabras)

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  2Gbit paralelo MT29F2G08ABAGAH4-IT: G 63-VFBGA NAND Flash Memory asincrónico IC

  Número de la parte:MT29F2G08ABAGAH4-IT: G

  Tipo de memoria:No volátiles

  Tamaño de la memoria:2Gbit

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