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GaN IC

Porcelana GaN IC

Los conductores de puente completo de GaN LMG3522R030RQSR 650V 38A VQFN52

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
GaN IC IGLD60R070D1AUMA3 N-Canal 600V 15A Transistor de modo de mejora 8-LDFN

Número de la parte:Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de

Vgs (máximo):-10 V

Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Transistor de potencia en modo de mejora de GaN IGLR60R340D1XUMA1 600V

Número de la parte:El objetivo de las pruebas de detección es el seguimiento de los resultados obtenidos.

Tipo de FET:N-canal

Tecnología:GaNFET (nitruro de galio)
Transistor de potencia GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 de canal N de refrigeración GaN 8-LDFN montado en la superficie

Número de la parte:El número de unidades de la serie IGLD60R190D1AUMA1

Vgs(th) (máximo) @ Id:1.6V @ 960μA

Vgs (máximo):-10 V
GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 Transistor de potencia en modo de mejora de 600 V de canal N

Número de la parte:IGLR60R190D1XUMA1

Tipo de montaje:Montura de la superficie

Temperatura de funcionamiento:-40 °C ~ 150 °C (TJ)
GaN IC IGT60R070D1ATMA4 1 N Canal MOSFET Transistor de potencia de CoolGaN

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Transistores de MOSFET de GaN con IC IGOT60R070D1AUMA1 600V 31A 70mOhms

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Transistores de MOSFET GaN IC IGO60R070D1AUMA1 N de canal 600V con refrigeración de GaN

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
El transistor de MOSFET de GaN IGT60R190D1SATMA1 12.5A 600V CoolGaN es el transistor HSOF8

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
GaN IC NV6134A-RA N-Canal 10A Conductor del interruptor de alimentación 30-QFN

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
El IC de conducción del interruptor de alimentación GaN NV6113-RA N-Channel 5A

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de protocolo de carga rápida SC2001QDER hasta 4 grupos de control de señal DPDM

Número de la parte:SC2001QDER

Voltado nominal:30 V

Tamaño:4 mm x 4 mm x 0,75 mm

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GaN IC IGLD60R070D1AUMA3 N-Canal 600V 15A Transistor de modo de mejora 8-LDFN

Transistor de potencia en modo de mejora de GaN IGLR60R340D1XUMA1 600V

Transistor de potencia GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 de canal N de refrigeración GaN 8-LDFN montado en la superficie

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GaN IC IGT60R070D1ATMA4 1 N Canal MOSFET Transistor de potencia de CoolGaN

Transistores de MOSFET de GaN con IC IGOT60R070D1AUMA1 600V 31A 70mOhms

Transistores de MOSFET GaN IC IGO60R070D1AUMA1 N de canal 600V con refrigeración de GaN

El transistor de MOSFET de GaN IGT60R190D1SATMA1 12.5A 600V CoolGaN es el transistor HSOF8

GaN IC NV6134A-RA N-Canal 10A Conductor del interruptor de alimentación 30-QFN

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