Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Chip de circuito integrado IPF042N10NF2S mejoramiento StrongIRFETTM 2 Transistor único

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPP030N06NF2S 60V 26A StrongIRFET TM 2 Transistor a través del agujero

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPTG063N15NM5 OptiMOSTM 5 MOSFET Transistor de canal N

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado ISC010N06NM5 MOSFET de potencia de N-canal único 1.05mΩ Transistor

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPT039N15N5 OptiMOSTM 5 potencia MOSFET 150V Transistor

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chipe de circuito integrado GAN039-650NBBHP 650V Transistor FET de nitruro de galio CCPAK1212

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado BSC014N06NSSC 60V 261A Modo de mejora Transistor único

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
ICW50N65WR5 Chip de circuito integrado 650V 50A Transistores IGBT únicos TO-247-3

Número de la parte:El número de unidades de producción es el siguiente:

Peso de la unidad:6.047 g

corriente de la salida del Puerta-emisor:nA 100
IXTP160N10T Chip de circuito integrado con modo de mejora de canal N 100V 160A Transistores MOSFET de potencia

Número de la parte:El número de unidades de producción

Tipo de FET:N-canal

Tecnología:MOSFET (óxido de metal)
BSC026N08NS5 Chip de circuito integrado 80V OptiMOSTM 5 Transistores MOSFET de potencia

Número de la parte:BSC026N08NS5

Tecnología:Si

Polaridad del transistor:N-canal
IPB100N04S4-H2 Chip de circuito integrado 40V OptiMOS-T2 Transistores MOSFET para automóviles

Número de la parte:Se aplicará el procedimiento de ensayo.

Polaridad del transistor:N-canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:40 V
IPDD60R050G7 Chip de circuito integrado de potencia de N-canal de 600V MOSFET Transistores HDSOP-10

Número de la parte:Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISOFIX.

Polaridad del transistor:N-canal

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:Las demás:

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