Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  IPB042N10N3G Chip de circuito integrado 100V OptiMOS TM Potencia MOSFET Transistores TO-263-3

  Número de la parte:IPB042N10N3G

  Serie:OptiMOS™

  Tipo de FET:N-canal

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  IPP051N15N5 Chip de circuito integrado de 150 V de potencia de canal N MOSFET Transistores TO-220-3

  Número de la parte:IPP051N15N5

  Alturas:15.65 mm

  Duración:10 mm

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  SPA11N80C3 Chip de circuito integrado CoolMOS Transistores MOSFET de potencia de canal N para el paquete 220FP-3

  Número de la parte:SPA11N80C3

  Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente::Las demás:

  Id - Corriente de drenaje continua::11 A

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  IAUT165N08S5N029 Chip de circuito integrado 80V 2.9 mΩ Transistores MOSFET OptiMOSTM-5 para automóviles

  Número de la parte:Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los

  Polaridad del transistor::N-canal

  Número de canales::1 Canal

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  IRFH5215TRPBF Chip de circuito integrado 150V StrongIRFET TM Transistores MOSFET de potencia

  Número de la parte:IRFH5215TRPBF

  Polaridad del transistor:N-canal

  Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:Las demás:

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  Chip de circuito integrado IPB60R045P7 Transistores MOSFET de potencia de canal N de 600 V

  Número de la parte:Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Temperatura de funcionamiento:-55 °C - 150 °C

  Paquete:PG-TO263-3

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  IPA60R099P7 Chip de circuito integrado de potencia MOSFET de canal N Transistores PG-TO220-3

  Número de la parte:IPA60R099P7

  Temperatura de funcionamiento:-55 °C - 150 °C

  Paquete:PG-TO220-3

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  Chip de circuito integrado SPD06N80C3 800V CoolMOS Power MOSFET Transistor TO-252-3

  Número de la parte:Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente::Las demás:

  Id - Corriente de drenaje continua::6 A

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  Chip de circuito integrado STW35N60DM2 600V 28A Transistores MOSFET de potencia de canal N

  Número de la parte:Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

  Polaridad del transistor:N-canal

  Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:Las demás:

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  Chip de circuito integrado IPT60R035CFD7 109nC 351W Transistor MOSFET de potencia HSOF8

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  BSC010N04LST Chip de circuito integrado OptiMOSTM 5 MOSFET de potencia de canal N Transistores TDSON-8

  Número de la parte:Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B serán las si

  Polaridad del transistor::N-canal

  Número de canales::1 Canal

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  IPW60R120P7 Chip de circuito integrado de 600V de potencia de canal N MOSFET Transistores TO-247-3

  Número de la parte:Se aplicará el método de evaluación de los resultados.

  Polaridad del transistor::N-canal

  Número de canales::1 Canal

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