Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Chip de circuito integrado STW35N60DM2 600V 28A Transistores MOSFET de potencia de canal N

  Número de la parte:Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

  Polaridad del transistor:N-canal

  Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:Las demás:

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  Chip de circuito integrado IPT60R035CFD7 109nC 351W Transistor MOSFET de potencia HSOF8

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  BSC010N04LST Chip de circuito integrado OptiMOSTM 5 MOSFET de potencia de canal N Transistores TDSON-8

  Número de la parte:Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B serán las si

  Polaridad del transistor::N-canal

  Número de canales::1 Canal

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  IPW60R120P7 Chip de circuito integrado de 600V de potencia de canal N MOSFET Transistores TO-247-3

  Número de la parte:Se aplicará el método de evaluación de los resultados.

  Polaridad del transistor::N-canal

  Número de canales::1 Canal

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  Chip de circuito integrado STGB19NC60KDT4 20A 600V Cortocircuito Transistores IGBT resistentes

  Número de la parte:Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

  Configuración::No casado

  Voltado del colector-emitente VCEO máximo::Las demás:

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  Chip de circuito integrado IKA15N60T 600V 15A Transistores IGBT TO-220-3 paquete

  Número de la parte:El número de unidades es el siguiente:

  Configuración::No casado

  Voltado del colector-emitente VCEO máximo::Las demás:

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  IPC100N04S5-1R9 Chip de circuito integrado 40V OptiMOSTM-5 Transistores MOSFET para automóviles

  Número de la parte:IPC100N04S5-1R9

  Tecnología:Si

  Voltagem de salida a la fuente (Vdss):40 V

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  ICW40N65H5 Chip de circuito integrado de alta velocidad 650V 40A Transistores IGBT TO-247-3

  Número de la parte:IKW40N65H5

  Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):650 V

  Corriente - colector (Ic) (máximo):74 A

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  BSC0901NSI Chip de circuito integrado 30V 100A Transistores MOSFET de potencia de canal N

  Número de la parte:Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad d

  Polaridad del transistor::N-canal

  Número de canales::1 Canal

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  Chip de circuito integrado IGW30N60H3 600V 30A Transistores IGBT únicos TO-247

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  Chip de circuito integrado de alta velocidad 600V 20A Transistores IGBT TO-247-3

  Número de la parte:Se aplicará el procedimiento siguiente:

  Configuración::No casado

  Voltado del colector-emitente VCEO máximo::Las demás:

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  A2T27S020GNR1 Chip de circuito integrado de modo de mejora de canal N de potencia RF Transistores LDMOS

  Número de la parte:A2T27S020GNR1

  Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente::65 V

  Frecuencia de operación::400 MHz a 2,7 GHz

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