Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Chip de circuito integrado IKW25N120H3FKSA1 Transistores de alta velocidad IGBT con parada de campo de trinchera de 1200V

  Minimum Order Quantity:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  Chip de circuito integrado IXYA30N120A3HV Transistores IGBT TO-263HV IGBT Discreto

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Packaging Details:Standard package

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  Chip de circuito integrado MMIX1X340N65B4 1.2kW 650V 450A Transistores IGBT únicos

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Packaging Details:Standard package

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  IRFPW4468PBF Chip de circuito integrado 100V StrongIRFETTM MOSFET de potencia de canal N Transistores

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  IPW65R060CM8 Chip de circuito integrado 650V CoolMOSTM 8 Transistores de potencia de canal N TO-247-3

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  IPW65R025CM8 Chip de circuito integrado CoolMOSTM 8 Transistores de potencia de canal N para servidor

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  IPT65R025CM8 Chip de circuito integrado 650V CoolMOSTM 8 Transistores de potencia para carga de vehículos eléctricos

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  IPW65R018CM8 Chip de circuito integrado 650V 116A CoolMOSTM 8 Transistores de potencia de canal N

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  Microprocesador IKY75N120CH7XKSA1 IGBT del circuito integrado con el diodo antiparalelo TO-247-4

  Número de parte:IKY75N120CH7XKSA1

  Actual - colector (Ic) (máximo):83 A

  Poder - máximo:549 W

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  El automóvil FFSP1065B-F085 salta el diodo de Schottky del rectificador del carburo de silicio de TO-220-2 650V

  Número de parte:FFSP1065B-F085

  Voltaje - revés de DC (Vr) (máximo):650 V

  Voltaje - delantero (Vf) (máximo) @ si:1,7 V @ 10 A

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  El automóvil FFSH5065B-F085 salta el diodo de Schottky del carburo de silicio de TO-247-2 50A 650V

  Número de parte:FFSH5065B-F085

  Paquete/caso:TO-247-2

  Temperatura de funcionamiento - empalme (minuto):-55°C

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  el automóvil 1200V salta el soporte de la superficie del diodo 32A de FFSB20120A-F085 TO-263 Schottky

  Número de parte:FFSB20120A-F085

  Sola energía de la avalancha del pulso:200mJ

  Disipación de poder (TC = 25°C):333W

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