Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Chip de circuito integrado MSC090SMA070SDT Transistor MOSFET de carburo de silicio de mejora

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado BSC088N15LS5 150V Transistor MOSFET de canal 1N SuperSO-8

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado E3M0160120D Transistor MOSFET discreto SiC para automóviles de 1200 V

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado C3M0032120J1 1200V Transistor MOSFET SiC discreto TO-263-7

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPP60R125CFD7 MOSFET Transistor 600V 18A a través del agujero

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
MOSFETs del canal N del microprocesador TO-247-3 del circuito integrado de los transistores SCT3060ALGC11

Número de parte:SCT3060ALGC11

RDS (encendido) (tipo.):60MΩ

Drene - el voltaje de la fuente:650V
Transistores electrónicos del carburo de silicio de los circuitos integrados SCT4036KRHRC15

Número de parte:SCT4036KRHRC15

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V

Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Solo soporte superficial de los transistores TO-263-8 de los MOSFETs del canal N SCT4013DW7TL

Número de parte:SCT4013DW7TL

Situación del producto:Activo

Vgs (máximo):+21V, -4V
Transistores electrónicos del canal N 1200V 17A de los circuitos integrados SCT3160KLGC11

Número de parte:SCT3160KLGC11

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:2,7 V

Modo del canal:Aumento
Transistores del canal N 1200 V 24A del microprocesador SCT3105KLGC11 del circuito integrado

Número de parte:SCT3105KLGC11

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:137mOhm @ 7.6A, 18V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:574 pF a 800 V
De los transistores SCT4026DRC15 750V 56A del canal N transistores TO-247-4 de los MOSFETs sic

Número de parte:SCT4026DRC15

Categoría de producto:MOSFET

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:56A (Tc)
Transistores TO-247-3 del microprocesador SCT3030KLHRC11 del circuito integrado a través del agujero

Número de parte:SCT3030KLHRC11

Voltaje de avería de la Dren-fuente:1,2 kilovoltios

Voltaje del umbral de la Puerta-fuente:2,7 V

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Transistores electrónicos del carburo de silicio de los circuitos integrados SCT4036KRHRC15

Solo soporte superficial de los transistores TO-263-8 de los MOSFETs del canal N SCT4013DW7TL

Transistores electrónicos del canal N 1200V 17A de los circuitos integrados SCT3160KLGC11

Transistores del canal N 1200 V 24A del microprocesador SCT3105KLGC11 del circuito integrado

De los transistores SCT4026DRC15 750V 56A del canal N transistores TO-247-4 de los MOSFETs sic

Transistores TO-247-3 del microprocesador SCT3030KLHRC11 del circuito integrado a través del agujero

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