Porcelana Microprocesador del circuito integrado

IPF048N15NM6 Chip de circuito integrado OptiMOS 6 Transistor de potencia 150V Transistor MOSFET

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPP129N10NF2S Transistor MOSFET de canal N único de 100 V

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPU80R1K4P7 Transistor MOSFET de mejora de alto rendimiento

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado DMWSH120H90SM3Q 41A 246W Transistor MOSFET de carburo de silicio

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado MSC090SMA070SDT Transistor MOSFET de carburo de silicio de mejora

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado BSC088N15LS5 150V Transistor MOSFET de canal 1N SuperSO-8

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado E3M0160120D Transistor MOSFET discreto SiC para automóviles de 1200 V

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado C3M0032120J1 1200V Transistor MOSFET SiC discreto TO-263-7

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPP60R125CFD7 MOSFET Transistor 600V 18A a través del agujero

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
MOSFETs del canal N del microprocesador TO-247-3 del circuito integrado de los transistores SCT3060ALGC11

Número de parte:SCT3060ALGC11

RDS (encendido) (tipo.):60MΩ

Drene - el voltaje de la fuente:650V
Transistores electrónicos del carburo de silicio de los circuitos integrados SCT4036KRHRC15

Número de parte:SCT4036KRHRC15

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V

Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Solo soporte superficial de los transistores TO-263-8 de los MOSFETs del canal N SCT4013DW7TL

Número de parte:SCT4013DW7TL

Situación del producto:Activo

Vgs (máximo):+21V, -4V

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