Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Inversor del puente de la parada de campo del foso del módulo de los transistores FF450R12ME4 IGBT medio

Número de parte:FF450R12ME4

Voltaje - avería del emisor del colector:1200 V

Configuración:Medio inversor del puente
Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic

Número de parte:MSCSM120HM16CT3AG

Carga total de la puerta:1602nC

Configuración:Canal N 4
del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W

Número de parte:MSCSM170HM23CT3AG

Disipación de poder TC = °C 25:602W (máximo)

Dren-fuente EN la resistencia (máxima):22.5mΩ
De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic

Número de parte:MSCSM120HM083CAG

VGS:10V

Disipación de poder:1042W
El Mosfet de los transistores MSCSM120HM063CAG pone en orden el módulo de poder lleno del puente sic

Número de parte:MSCSM120HM063CAG

Corriente pulsada del dren:900A

carga de la Puerta-fuente:232nC
Arsenal automotriz del Mosfet de los módulos 1700V 4N-Channel de los módulos MSCSM170HM087CAG IGBT

Número de parte:MSCSM170HM087CAG

Tecnología:Carburo de silicio (sic)

Configuración:Canal N 4 (puente lleno)
Los transistores automotrices del arsenal del Mosfet de los módulos MSCSM70HM038CAG de IGBT atornillan los soportes

Número de parte:MSCSM70HM038CAG

Temperatura de funcionamiento máximo:+ 125 C

Tipo:Puente lleno
Módulos IGBT automotrices MSCSM170DUM039AG 2N-Channel Common Source MOSFET Arrays

Número de parte:MSCSM170DUM039AG

Paquete/caso:Módulo

Voltaje de la Dren-fuente (máximo):1700V
Módulos automotrices discretos de los transistores MSCSM70HM05CAG 700V IGBT del semiconductor

Número de parte:MSCSM70HM05CAG

VF:1,5 V

Tecnología:SIC
Soporte automotriz del chasis de los transistores del módulo de poder de los módulos MSCSM70HM19CT3AG de IGBT

Número de parte:MSCSM70HM19CT3AG

Poder - máximo:365W (Tc)

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:4500pF @ 700V
MOSFET automotrices de los módulos IGBT 240A 1700V de la fuente común dual MSCSM170DUM11T3AG

Número de parte:MSCSM170DUM11T3AG

Paquete del dispositivo del proveedor:SP3F

Temperatura de funcionamiento (minuto):-40°C (TJ)
Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic 700V

Número de parte:MSCSM70DUM017AG

Configuración:Fuente común (dual) de 2 canales N

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):700V

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Módulos automotrices de IGBT

Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

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Inversor del puente de la parada de campo del foso del módulo de los transistores FF450R12ME4 IGBT medio

Transistores del arsenal del Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W sic

del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W

De IGBT de los módulos MSCSM120HM083CAG del puente transistores llenos automotrices del módulo de poder sic

El Mosfet de los transistores MSCSM120HM063CAG pone en orden el módulo de poder lleno del puente sic

Arsenal automotriz del Mosfet de los módulos 1700V 4N-Channel de los módulos MSCSM170HM087CAG IGBT

Los transistores automotrices del arsenal del Mosfet de los módulos MSCSM70HM038CAG de IGBT atornillan los soportes

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Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad