Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Módulos IGBT automotrices MSCSM170DUM039AG 2N-Channel Common Source MOSFET Arrays

Número de parte:MSCSM170DUM039AG

Paquete/caso:Módulo

Voltaje de la Dren-fuente (máximo):1700V
Módulos automotrices discretos de los transistores MSCSM70HM05CAG 700V IGBT del semiconductor

Número de parte:MSCSM70HM05CAG

VF:1,5 V

Tecnología:SIC
Soporte automotriz del chasis de los transistores del módulo de poder de los módulos MSCSM70HM19CT3AG de IGBT

Número de parte:MSCSM70HM19CT3AG

Poder - máximo:365W (Tc)

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:4500pF @ 700V
MOSFET automotrices de los módulos IGBT 240A 1700V de la fuente común dual MSCSM170DUM11T3AG

Número de parte:MSCSM170DUM11T3AG

Paquete del dispositivo del proveedor:SP3F

Temperatura de funcionamiento (minuto):-40°C (TJ)
Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic 700V

Número de parte:MSCSM70DUM017AG

Configuración:Fuente común (dual) de 2 canales N

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):700V
El Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM50CT3AG pone en orden los transistores discretos del semiconductor

Número de parte:MSCSM120HM50CT3AG

Voltaje reverso:1,2 kV

Voltaje de la Puerta-fuente:- 10 V, + 25 V
Módulo de poder automotriz del arsenal 1200V del Mosfet de los módulos MSCSM120HM31CT3AG de IGBT

Número de parte:MSCSM120HM31CT3AG

Energía de abertura:20.3mJ

DSI:270 A
módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Número de parte:MSCSM70DUM07T3AG

Poder - máximo:988W (Tc)

Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
Módulos IGBT automotrices MSC100SM70JCU3 N-Channel IGBT Módulos de carburo de silicio 365W

Número de parte:MSC100SM70JCU3

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:215 nC @ 20 V

Vf - voltaje delantero:1,5 V
módulos automotrices del MOSFET del poder de los módulos MSCSM120SKM11CT3AG 254A de 4000Vrms IGBT

Número de parte:MSCSM120SKM11CT3AG

Montaje del tipo:Montaje en chasis

Voltaje - aislamiento:4000Vrms
El Mosfet pone en orden sic los módulos automotrices del módulo de poder MSCSM170AM058CT6LIAG IGBT

Número de parte:MSCSM170AM058CT6LIAG

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:19800pF @ 1000V

Tecnología:SIC
De IGBT de los módulos MSCSM170AM039CT6AG 523A de la fase de la pierna transistores automotrices sic

Número de parte:MSCSM170AM039CT6AG

Rds encendido:5mOhm

Corriente pulsada del dren:1000A

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