Porcelana Módulos automotrices de IGBT

El Mosfet del módulo de poder MSCSM120HM50CT3AG pone en orden los transistores discretos del semiconductor

Número de parte:MSCSM120HM50CT3AG

Voltaje reverso:1,2 kV

Voltaje de la Puerta-fuente:- 10 V, + 25 V
Módulo de poder automotriz del arsenal 1200V del Mosfet de los módulos MSCSM120HM31CT3AG de IGBT

Número de parte:MSCSM120HM31CT3AG

Energía de abertura:20.3mJ

DSI:270 A
módulo de poder del MOSFET del carburo de silicio de la fuente común 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Número de parte:MSCSM70DUM07T3AG

Poder - máximo:988W (Tc)

Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
Módulos IGBT automotrices MSC100SM70JCU3 N-Channel IGBT Módulos de carburo de silicio 365W

Número de parte:MSC100SM70JCU3

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:215 nC @ 20 V

Vf - voltaje delantero:1,5 V
módulos automotrices del MOSFET del poder de los módulos MSCSM120SKM11CT3AG 254A de 4000Vrms IGBT

Número de parte:MSCSM120SKM11CT3AG

Montaje del tipo:Montaje en chasis

Voltaje - aislamiento:4000Vrms
El Mosfet pone en orden sic los módulos automotrices del módulo de poder MSCSM170AM058CT6LIAG IGBT

Número de parte:MSCSM170AM058CT6LIAG

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:19800pF @ 1000V

Tecnología:SIC
De IGBT de los módulos MSCSM170AM039CT6AG 523A de la fase de la pierna transistores automotrices sic

Número de parte:MSCSM170AM039CT6AG

Rds encendido:5mOhm

Corriente pulsada del dren:1000A
Transistores discretos del soporte del chasis del módulo MSCSM170AM058CD3AG del semiconductor

Número de parte:MSCSM170AM058CD3AG

Montaje del tipo:Montaje en chasis

Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
De IGBT de los módulos MSCSM170AM15CT3AG de la fase de la pierna módulo de poder automotriz del MOSFET sic

Número de parte:MSCSM170AM15CT3AG

Dren-fuente en resistencia:mΩ 15

Disipación de poder:862W
Transistores discretos del semiconductor del arsenal 1.7kV 124A del Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Número de parte:MSCSM170AM23CT1AG

Configuración:Canal N 2 (pierna de la fase)

VGS:20 V
Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic

Número de parte:MSC40SM120JCU3

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:55A (Tc)

Identificación de Vgs (th) (máximo) @:2.7V @ 1mA
Módulos MSC130SM120JCU3 Módulo de alimentación de carburo de silicio completo 1200V 173A N-Channel

Número de parte:MSC130SM120JCU3

Producto:Módulos del carburo de silicio de IGBT

Vf - voltaje delantero:1,5 V

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