Porcelana Módulos automotrices de IGBT

Módulo automotriz 1200V de Schottky del carburo de silicio de los módulos MSCDC100A120D1PAG de IGBT

Número de parte:MSCDC100A120D1PAG

Configuración del diodo:Conexión en serie de 1 par

Carga capacitiva total VR = 600V:448 nC (típico)
Módulos discretos automotrices del semiconductor de los módulos MSCSM120TAM16CTPAG 728W de IGBT

Número de parte:MSCSM120TAM16CTPAG

corriente de la salida de la Puerta-fuente:1μA

Voltaje del umbral de la puerta:2.8V
Módulo de los transistores del soporte del chasis del arsenal 1200V 251A del Mosfet de MSCSM120TAM11CTPAG

Número de parte:MSCSM120TAM11CTPAG

Corriente pulsada del dren:1600A

Voltaje de la Puerta-fuente:25V
módulos automotrices del diodo MSCDC100A170D1PAG IGBT de Schottky del carburo de silicio de 1700V 100A

Número de parte:MSCDC100A170D1PAG

Conectores de poder:Conectores de poder M5

Voltaje:1700V
Módulo de poder automotriz del diodo de los módulos 700V 100A de los módulos MSCDC100A70D1PAG IGBT

Número de parte:MSCDC100A70D1PAG

Velocidad:Ninguna hora de recuperación > 500mA (Io

Voltaje - delantero (Vf) (máximo) @ si:1,8 V @ 100 A
Transistores automotrices del soporte del chasis del arsenal del Mosfet de los módulos MSCSM70VM19C3AG de IGBT

Número de parte:MSCSM70VM19C3AG

Montaje de estilo:Soportes del tornillo

Vf - voltaje delantero:1,5 V en 50 A
módulos automotrices de los transistores MSCSM70VM10C4AG IGBT del soporte del chasis 238A

Número de parte:MSCSM70VM10C4AG

Configuración:Canal N 2 (pierna de la fase)

Poder - máximo:674W (Tc)
De IGBT de los módulos MSCDC150A170D1PAG 150A de la fase de la pierna módulo de poder automotriz de los diodos sic

Número de parte:MSCDC150A170D1PAG

Paquete del dispositivo del proveedor:D1P

Producto:Módulo de poder del diodo
Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos MSCSM120AM042CT6LIAG 495A de IGBT

Número de parte:MSCSM120AM042CT6LIAG

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:18100pF @ 1kV

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:1392nC @ 20V
de la fase 200A de la pierna módulos automotrices del módulo de poder de los diodos sic MSCDC200A120D1PAG IGBT

Número de parte:MSCDC200A120D1PAG

Voltaje - delantero (Vf) (máximo) @ si:1,8 V a 200 A

Actual delantero de DC TC = °C 95:200A
Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis

Número de parte:MSCSM120AM042CT6AG

Tipo:Pierna de la fase

Identificación - Corriente continua del dren:495 A
el diodo de rectificadores automotriz de los módulos MSCDC450A120AG de 1200V IGBT pone en orden el módulo 450A

Número de parte:MSCDC450A120AG

Paquete/caso:Módulo

Carga capacitiva total VR = 600 V (tipo):2016nC

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