Porcelana Módulos automotrices de IGBT

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  Inversor de tres niveles MSCSM170TLM23C3AG SiC MOSFET Módulo de potencia 1700V 4N-Channel

  Número de parte:MSCSM170TLM23C3AG

  Paquete del dispositivo del proveedor:SP3F

  Paquete/caso:Módulo

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  Módulos IGBT automotrices MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW MOSFET Transistores

  Número de parte:MSCSM120AM11CT3AG

  Tiempo de recuperación reversa:90ns

  Resistencia termal del Empalme-a-caso:0.126°C/W

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  módulos automotrices 700V de los MOSFETs MSCSM70TLM10C3AG IGBT del carburo de silicio 4N-Channel

  Número de parte:MSCSM70TLM10C3AG

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:430nC @ 20V

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:9000pF @ 700V

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  Módulo automotriz 1200V de Schottky del carburo de silicio de los módulos MSCDC100A120D1PAG de IGBT

  Número de parte:MSCDC100A120D1PAG

  Configuración del diodo:Conexión en serie de 1 par

  Carga capacitiva total VR = 600V:448 nC (típico)

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  Módulos discretos automotrices del semiconductor de los módulos MSCSM120TAM16CTPAG 728W de IGBT

  Número de parte:MSCSM120TAM16CTPAG

  corriente de la salida de la Puerta-fuente:1μA

  Voltaje del umbral de la puerta:2.8V

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  Módulo de los transistores del soporte del chasis del arsenal 1200V 251A del Mosfet de MSCSM120TAM11CTPAG

  Número de parte:MSCSM120TAM11CTPAG

  Corriente pulsada del dren:1600A

  Voltaje de la Puerta-fuente:25V

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  módulos automotrices del diodo MSCDC100A170D1PAG IGBT de Schottky del carburo de silicio de 1700V 100A

  Número de parte:MSCDC100A170D1PAG

  Conectores de poder:Conectores de poder M5

  Voltaje:1700V

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  Módulo de poder automotriz del diodo de los módulos 700V 100A de los módulos MSCDC100A70D1PAG IGBT

  Número de parte:MSCDC100A70D1PAG

  Velocidad:Ninguna hora de recuperación > 500mA (Io

  Voltaje - delantero (Vf) (máximo) @ si:1,8 V @ 100 A

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  Transistores automotrices del soporte del chasis del arsenal del Mosfet de los módulos MSCSM70VM19C3AG de IGBT

  Número de parte:MSCSM70VM19C3AG

  Montaje de estilo:Soportes del tornillo

  Vf - voltaje delantero:1,5 V en 50 A

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  módulos automotrices de los transistores MSCSM70VM10C4AG IGBT del soporte del chasis 238A

  Número de parte:MSCSM70VM10C4AG

  Configuración:Canal N 2 (pierna de la fase)

  Poder - máximo:674W (Tc)

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  De IGBT de los módulos MSCDC150A170D1PAG 150A de la fase de la pierna módulo de poder automotriz de los diodos sic

  Número de parte:MSCDC150A170D1PAG

  Paquete del dispositivo del proveedor:D1P

  Producto:Módulo de poder del diodo

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  Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos MSCSM120AM042CT6LIAG 495A de IGBT

  Número de parte:MSCSM120AM042CT6LIAG

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:18100pF @ 1kV

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:1392nC @ 20V

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