Número de la parte:S70KS1283GABHB023
Formato de memoria:PSRAM
Interfaz de memoria:SPI - Entrada-salida octal
Número de la parte:S80KS5123GABHA020
Tiempo de acceso inicial:35 ns
Ancho de banda:400 MByte/s
Número de la parte:S27KL0642GABHI020
Frecuencia del reloj:200 MHz
Tiempo de acceso:35 ns
Número de la parte:S80KS2563GABHV023
Tarifa de reloj:1,8 V
Recurso seguro:°C 105
Número de la parte:S80KS2562GABHI020
(i) industrial:-40 °C a +85 °C
Ayuda del interfaz:1,8 V/3,0 V
Número de la parte:S80KS5123GABHI020
Tamaño de la memoria:512 Mbit
Frecuencia de reloj máxima:200 MHz
Número de la parte:S27KS0642GABHM023
Tecnología:PSRAM (pseudo SRAM)
La explosión leyó o escribe:30 mA
Número de la parte:S70KS1282GABHV023
Ayuda del interfaz:1,8 V/3,0 V
Temperatura de funcionamiento (minuto):-40°C (TA)
Número de la parte:S27KS0642GABHB023
Tecnología:COPITA 38-nm
Dispositivos de almacenamiento:38-nm
Número de la parte:S70KL1282GABHB030
Longitudes estalladas envueltas:128 bytes (64 relojes)
Explosión linear:MB 64
Número de la parte:S80KS2563GABHI023
Programa:50
El SDR leyó:50 MHz
Número de la parte:S80KS5123GABHV023
Interfaz:interfaz (octal) del xSPI
Gama de temperaturas de funcionamiento - (i) industrial:– °C 40 al °C +85