Porcelana Chip IC de memoria

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  Chip CI MT29F2G08ABAGAWP-AAT: Memoria Flash paralela IC de G 2Gbit 20NS 48-TSOP

  Número de la parte:MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G

  Voltagem - Suministro:2.7V ~ 3.6V

  Temperatura de funcionamiento:-40 °C ~ 105 °C (TA)

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  Microprocesador MT29F2G16ABAGAWP-AIT del circuito integrado: G NAND Flash Memory IC 48-TFSOP

  Número de la parte:MT29F2G16ABAGAWP-AIT: G

  Bloque del borrado:2 ms

  Sistema del comando:ONFI NAND Flash Protocol

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  MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: Un soporte de la superficie de IC de la memoria de 256Gbit 100MHz 100-LBGA

  Número de la parte:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:

  Frecuencia del reloj:100 MHz

  Memoria:256Gbit

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  Microprocesador MT29F2T08EMLEEJ4-R del circuito integrado: Memoria paralela IC 132-VBGA de E 2Tbit

  Número de la parte:MT29F2T08EMLEEJ4-R: E

  Organización de la memoria:256G x 8

  Interfaz de memoria:En paralelo

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  Soporte superficial MT29F2T08EMLEEJ4-T del microprocesador 132-VBGA del circuito integrado: Memoria IC de E

  Número de la parte:MT29F2T08EMLEEJ4-T: E

  Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8

  Organización:256 G x 8

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  Circuitos integrados electrónicos MT29F4T08EULEEM4-T: FLASH de E - NAND Memory IC

  Número de la parte:MT29F4T08EULEEM4-T: E

  Tipo de montaje:Montura de la superficie

  Temperatura de funcionamiento:0 °C ~ 70 °C

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  Microprocesador MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI del circuito integrado memoria IC de 133 megaciclos

  Número de la parte:MT25QL02GCBB8E12-0AAT

  Funcionamiento del borrado:80KB/sec

  Subsector:4KB

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  MT29F2G01ABBGD12-AAT: Soporte superficial de IC 24-T-PBGA de la memoria de G 2Gbit SPI 83MHz

  Número de la parte:MT29F2G01ABBGD12-AAT: G

  Tamaño de la memoria:2Gbit

  Interfaz de memoria:El SPI

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  soporte paralelo MT29F1T08EELEEJ4-R de la superficie 1Tbit 132-VBGA: E NAND Memory IC

  Número de la parte:MT29F1T08EELEEJ4-R: E

  Tecnología:FLASH - NAND (TLC)

  Voltagem - Suministro:2.6V ~ 3.6V

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  Microprocesador MT29F512G08EBLEEJ4-T del circuito integrado: Memoria IC de E 512Gbit 132-VBGA

  Número de la parte:MT29F512G08EBLEEJ4-T: E

  Organización de la memoria:64G x 8

  Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8

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  DE DESTELLO - NAND Memory IC MT29F1T08EELEEJ4-T: Paquete paralelo 132-VBGA de E 1Tbit

  Número de la parte:MT29F1T08EELEEJ4-T: E

  Tecnología:FLASH - NAND (TLC)

  Organización:128 G x 8

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  DE DESTELLO - NAND Memory IC MT29F1G01ABBFD12-AAT: Circuitos integrados electrónicos de F

  Número de la parte:MT29F1G01ABBFD12-AAT: F

  Organización de la memoria:1G x 1

  Interfaz de memoria:El SPI

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