Número de la parte:S70KS1283GABHV020
PSRAM:Mb 128
De media página:byte 16
Número de la parte:S80KS5122GABHV020
Voltaje de fuente - máximo:2 V
Voltaje de fuente - minuto:1,7 V
Número de la parte:S80KS5123GABHV020
Organización de la memoria:los 64M x 8
Corriente de la fuente - máxima:44 mA
Número de la parte:S80KS2562GABHM020
Dispositivos de almacenamiento:MB 256
Recurso seguro:°C 105
Número de la parte:S27KL0643GABHI023
Ómnibus de datos:8 bits
Tarifa de reloj:200 MHz
Número de la parte:S26HS512TGABHV010
Voltagem - Suministro:1.7V ~ 2V
Humedad sensible:- ¿ Qué?
Número de la parte:S26HS512TGABHV013
RDA leyó:166MHz
Estado del producto:Actividad
Número de la parte:S70KS1282GABHB030
Tecnología:PSRAM (pseudo SRAM)
Tipo de memoria:Las sustancias
Número de la parte:S27KL0642GABHI023
Recurso seguro:µA 330
Humedad sensible:- ¿ Qué?
Número de la parte:S26HS01GTGABHM020
Tarifa de reloj:50 MHz
SPI rápidamente leyó:20,75 MBps
Número de la parte:S70KL1282GABHI023
Tarifa de reloj máxima:200 MHz
Tiempo de acceso máximo:35 ns
Número de la parte:S27KS0643GABHB023
Tamaño de la memoria:64Mbit
Frecuencia del reloj:200 MHz