Número de la parte:MT29F4G08ABBFAH4-AIT: F
Página del programa:240µs (TIPO) con el ECC del en-dado permitió
Número de aviones:1
Número de la parte:MT29F2G08ABAGAWP-IT: G
Tipo que mide el tiempo:Asíncrono
Voltaje - fuente (minuto):2.7V
Número de la parte:MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F
Bloque del borrado:2ms (TIPO)
Tamaño:Las medidas de ensayo se aplicarán en el caso de los vehículos de la categoría M1 y M2.
Número de la parte:MT29F8G08ADAFAWP-AAT: F
Organización de la memoria:1Gx8
Tamaño del dispositivo:8Gb: 8.192 bloques
Número de la parte:MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G
Envase / estuche:VFBGA-63
Tamaño de la memoria:2 Gbit
Número de la parte:MT29F8G08ADAFAWP-AIT: F
Organización:1 G x 8
Tipo de memoria:No volátiles
Número de la parte:MT29F4G01ABAFD12-AAT: F
Código de FBGA:NW931
De Op. Sys. Temporeros.:-40C a +105C
Número de la parte:MT35XU01GBBA1G12-0SIT
Granulosidad uniforme del borrado del sector:128kB
Borrado del subsector:4KB
Número de la parte:MT29F1G08ABBFAH4-ITE: F
Tipo que mide el tiempo:Asíncrono
Densidad:1 GB
Número de la parte:MT29F4G08ABADAWP-AATX: D
Corriente de la fuente - máxima:35 mA
Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8
Número de la parte:MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E
Tipo de producto:Memoria flash NAND
Organización:256 M x 8
Número de la parte:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G
Tipo que mide el tiempo:Asíncrono
Voltaje de fuente - máximo:1,95 V