Porcelana Chip IC de memoria

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  Memoria IC 256Mbit 24FBGA de Chip Pseudo SRAM del circuito integrado S80KS2562GABHI020

  Número de la parte:S80KS2562GABHI020

  (i) industrial:-40 °C a +85 °C

  Ayuda del interfaz:1,8 V/3,0 V

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  512Mbit SPI - pseudo SRAM memoria octal IC 24-FBGA de la entrada-salida 200MHz S80KS5123GABHI020

  Número de la parte:S80KS5123GABHI020

  Tamaño de la memoria:512 Mbit

  Frecuencia de reloj máxima:200 MHz

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  Memoria IC 24-VBGA del microprocesador S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus del circuito integrado

  Número de la parte:S27KS0642GABHM023

  Tecnología:PSRAM (pseudo SRAM)

  La explosión leyó o escribe:30 mA

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  128Mbit microprocesador 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrado del chip de memoria S70KS1282GABHV023

  Número de la parte:S70KS1282GABHV023

  Ayuda del interfaz:1,8 V/3,0 V

  Temperatura de funcionamiento (minuto):-40°C (TA)

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  Los ICs saltan la memoria superficial IC del soporte de S27KS0642GABHB023 200 megaciclo 35 ns 24-FBGA

  Número de la parte:S27KS0642GABHB023

  Tecnología:COPITA 38-nm

  Dispositivos de almacenamiento:38-nm

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  Chip CI del chip de memoria VBGA24 del microprocesador S70KL1282GABHB030 128Mbit del circuito integrado

  Número de la parte:S70KL1282GABHB030

  Longitudes estalladas envueltas:128 bytes (64 relojes)

  Explosión linear:MB 64

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  Memoria octal IC de la entrada-salida 200MHz de Chip Integrated Circuit S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI

  Número de la parte:S80KS2563GABHI023

  Programa:50

  El SDR leyó:50 MHz

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  chip de memoria del microprocesador FBGA24 del circuito integrado de IC S80KS5123GABHV023 de la memoria 512Mbit

  Número de la parte:S80KS5123GABHV023

  Interfaz:interfaz (octal) del xSPI

  Gama de temperaturas de funcionamiento - (i) industrial:– °C 40 al °C +85

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  Memoria IC de Chip Integrated Circuit S70KS1282GABHM023 128Mbit HyperBus 35ns

  Número de la parte:S70KS1282GABHM023

  Interfaz de memoria:HyperBus

  Tecnología:Pseudo SRAM

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  Pseudo SRAM memoria IC de IC Chip Surface Mount S80KS2563GABHI020 32MB 200MHz

  Número de la parte:S80KS2563GABHI020

  Longitudes estalladas envueltas:16 bytes

  Más industrial:-40°C a +105°C

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  Memoria electrónica IC 512Mbit 24-FBGA de los circuitos integrados S26HS512TGABHI013

  Número de la parte:S26HS512TGABHI013

  Consumo actual de lectura/grabación estallado:22mA/25mA

  Recurso seguro:µA 360

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  Memoria IC del microprocesador 512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGA del circuito integrado

  Número de la parte:S80KS5123GABHB023

  Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8

  Organización:8 M x 8

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