Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Transistores de los MOSFETs del canal N 750V 56A 176W SCT4026DRHRC15 del chip CI solos

  Número de parte:SCT4026DRHRC15

  Montaje del tipo:A través del agujero

  Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)

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  Los transistores SCT3080ARHRC15 del canal N sic accionan el microprocesador del circuito integrado del MOSFET 650V

  Número de parte:SCT3080ARHRC15

  Paquete/caso:TO-247-4L

  Modo del canal:Aumento

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  Transistores TO-247-3 del canal N del microprocesador SCT2280KEGC11 del circuito integrado a través del agujero

  Número de parte:SCT2280KEGC11

  Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:14A (Tc)

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:36 nC @ 18 V

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  El canal N sic acciona los transistores del microprocesador TO-263-8 del circuito integrado del MOSFET SCT4062KW7TL

  Número de parte:SCT4062KW7TL

  Categoría de producto:MOSFET

  Tipo del FET:Canal N

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  Microprocesador TO-247-3 650V del circuito integrado de la parada de campo del foso de IGBT IKW40N65ET7XKSA1

  Número de parte:IKW40N65ET7XKSA1

  Tipo de IGBT:Parada de campo del foso

  Energía que cambia:1.05mJ (encendido), 590µJ (apagado)

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  Del circuito integrado solos IGBT transistores TO-247-3 del microprocesador IKW50N120CH7XKSA1

  Número de parte:IKW50N120CH7XKSA1

  Energía que cambia:2.33mJ (encendido), 1.12mJ (apagado)

  Tipo entrado:Estándar

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  Transistores del carburo de silicio del canal N del microprocesador MSC025SMA120B del circuito integrado

  Número de parte:MSC025SMA120B

  Situación del producto:Activo

  Tipo del FET:Canal N

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  Microprocesador del circuito integrado del MOSFET TO-268-3 de los transistores MSC180SMA120S del canal N sic

  Número de parte:MSC180SMA120S

  Vgs (máximo):+23V, -10V

  Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:225mOhm @ 8A, 20V

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  módulo SOT-227-4 del MOSFET del poder del canal N del carburo de silicio 1200V MSC017SMA120J

  Número de parte:MSC017SMA120J

  Temperatura de funcionamiento mínima:- 55 C

  Paladio - disipación de poder:278 W

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  Transistores TO-268-3 de los MOSFETs de los FETs del microprocesador MSC017SMA120S del circuito integrado solos

  Número de parte:MSC017SMA120S

  Disipación de poder (máxima):357W (Tc)

  Paquete del dispositivo del proveedor:D3PAK

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  Soporte superficial de los transistores del canal N del microprocesador MSC040SMA120S del circuito integrado

  Número de parte:MSC040SMA120S

  Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)

  Identificación - Corriente continua del dren:64 A

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  MOSFET TO-247-3 del poder del canal N del carburo de silicio del microprocesador MSC017SMA120B del circuito integrado

  Número de parte:MSC017SMA120B

  Montaje del tipo:A través del agujero

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:5280 PF @ 1000 V

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