Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Del circuito integrado solos IGBT transistores TO-247-3 del microprocesador IKW50N65ET7XKSA1

Número de parte:IKW50N65ET7XKSA1

Poder - máximo:273 W

Tiempo de recuperación reversa:93 ns
Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Número de parte:IKW30N65ET7XKSA1

VCE:650 V

Temperatura de almacenamiento:-55 - °C 150
parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT de 1200V IGBT TO-247-3

Número de parte:IKW40N120CS7XKSA1

Voltaje máximo del emisor de la puerta:- 20 V, 20 V

Corriente de colector continua en 25 C:82 A
Microprocesador del circuito integrado de los transistores 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 de IGBT

Número de parte:IKW20N65ET7XKSA1

TD (con./desc.) @ 25°C:16ns/210ns

Condición de prueba:400V, 20A, 12Ohm, 15V
Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

Número de parte:IKW40N120CH7XKSA1

IFpuls máximo:165A

Ptot (@ TA=25°C) máximo:330 W
Parada de campo del foso de IKY50N120CH7XKSA1 IGBT 1200 V 75 transistores de un IGBTs

Número de parte:IKY50N120CH7XKSA1

Voltaje - avería del emisor del colector:1200 V

Tipo entrado:Estándar
Microprocesador del circuito integrado de los transistores IKQ75N120CS7XKSA1 de la parada de campo del foso de IGBT

Número de parte:IKQ75N120CS7XKSA1

Voltaje máximo del emisor de la puerta:- 20 V, 20 V

Paquete:TO-247-3
Soporte superficial del paquete de los transistores TO-263-8 del canal N 1700V IMBF170R450M1

Número de parte:IMBF170R450M1

Situación del producto:Activo

Tipo del FET:Canal N
Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Número de parte:IMBG65R048M1H

Corriente máxima del dren (máxima):99A

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:33 nC @ 18 V
De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic

Número de parte:IMBG65R039M1H

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:54A (Tc)

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:51mOhm @ 25A, 18V
650V de los transistores IMW65R030M1H del canal N transistores de poder del foso sic TO-247-3

Número de parte:IMW65R030M1H

Conducción de voltaje:18v

Modo del canal:Aumento
sic transistores TO-247-4 del canal N del MOSFET IMZ120R350M1H del foso 1200V a través del agujero

Número de parte:IMZ120R350M1H

Voltaje del umbral de la puerta de la prueba patrón:VGS (th) = 4.5V

Tvj, máximo:175°C

Page 303 of 1715|< << 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 >> >|

Microprocesador del circuito integrado

CYPD6227-96BZXI Chip de circuito integrado con doble puerto USB controlador de tipo C IC VFBGA96

MC33984CHFKR2 circuito integrado controladores de carga de chips IC interruptores de distribución de energía

MCZ33905DD5EKR2 Chip de sistema de circuito integrado Chip base con alta velocidad CAN y LIN

Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Del circuito integrado solos IGBT transistores TO-247-3 del microprocesador IKW50N65ET7XKSA1

Transistores electrónicos de la parada de campo del foso de los circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT de 1200V IGBT TO-247-3

Microprocesador del circuito integrado de los transistores 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 de IGBT

Sola parada de campo del foso de los transistores IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT de IGBTs 1200V

Parada de campo del foso de IKY50N120CH7XKSA1 IGBT 1200 V 75 transistores de un IGBTs

Microprocesador del circuito integrado de los transistores IKQ75N120CS7XKSA1 de la parada de campo del foso de IGBT

Soporte superficial del paquete de los transistores TO-263-8 del canal N 1700V IMBF170R450M1

Poder del foso de los transistores 650V de los MOSFETs del carburo de silicio de TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

De IMBG65R039M1H del canal N 650V de los MOSFETs de los transistores dispositivo de poder del foso sic

650V de los transistores IMW65R030M1H del canal N transistores de poder del foso sic TO-247-3

sic transistores TO-247-4 del canal N del MOSFET IMZ120R350M1H del foso 1200V a través del agujero

Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad