Número de parte:IMBG65R039M1H
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:54A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:51mOhm @ 25A, 18V
Número de parte:IMW65R030M1H
Conducción de voltaje:18v
Modo del canal:Aumento
Número de parte:IMZ120R350M1H
Voltaje del umbral de la puerta de la prueba patrón:VGS (th) = 4.5V
Tvj, máximo:175°C
Número de parte:IMW65R072M1H
Qg:22 nC
VGS:18 V
Número de parte:IMBG120R350M1H
Corriente de diodo pulsada del cuerpo:169 A
El cortocircuito soporta tiempo:3 µs
Número de parte:TPS563231DRLR
Voltaje - entrado (minuto):4.5V
Voltaje - entrado (máximo):17V
Número de parte:XC7S50-1CSGA324C
RAM:kbit 600
Laboratorios:LABORATORIO 4075
Número de parte:XC7S50-1FGGA484C
Anchuras portuarias:72
RAM:Kb 36
Número de parte:XC7S6-L1CPGA196I
Pedazos totales de RAM:184320
Montaje de estilo:SMD/SMT
Número de parte:XC7S50-1CSGA324I
Multiplicador del complemento:25 × 18
Acumulador:pedazo 48
Número de parte:AD9835BRUZ-REEL7
Anchura de adaptación de la palabra (pedazos):32 b
SNR - Relación señal-ruido:DB 50
Número de parte:XC7S50-2CSGA324C
Tablas de operaciones de búsqueda:6-input
ROM:de 32 bits